BAT54CWT/R 时间：2025/8/14 23:38:58 阅读：23

BAT54CWT/R 是一款由Nexperia（原Philips Semiconductors）制造的双通道双极性结型场效应晶体管（BJT）阵列，适用于需要低饱和电压和高开关速度的应用场景。该器件包含两个独立的NPN晶体管，通常用于放大和开关应用，例如在数字电路、功率控制电路和信号处理电路中。

参数

晶体管类型：NPN 双晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

BAT54CWT/R 的每个晶体管都具有低饱和电压（VCE(sat)）特性，这使其在开关应用中效率更高，减少了功耗和发热。此外，该器件的高频响应能力（高达100MHz）使其适用于需要快速开关的高频电路。由于采用SOT-23封装，BAT54CWT/R 的体积小巧，非常适合用于空间受限的电路设计。此外，其双晶体管结构允许在电路设计中共享相同的偏置条件，从而简化电路布局并提高可靠性。
　　BAT54CWT/R 的高可靠性使其适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多种应用场景。该器件的制造工艺符合严格的工业标准，确保了其在各种环境条件下的稳定运行。此外，BAT54CWT/R 具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在较为严苛的环境中保持性能稳定。

应用

BAT54CWT/R 通常用于需要低功耗、高开关速度和小封装的应用场景。常见应用包括数字逻辑电路中的开关元件、LED驱动电路、继电器控制电路、音频放大器前级、传感器信号调节电路以及电源管理模块。此外，由于其双晶体管结构，BAT54CWT/R 可以用于构建达林顿对管配置，以实现更高的电流增益。在通信设备、便携式电子产品和工业自动化系统中，BAT54CWT/R 是一种常用的通用晶体管阵列器件。