BAT54CTB 是一款由恩智浦半导体(NXP)生产的双P沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术,具有优异的导通电阻和开关性能,适用于多种功率管理和负载开关应用。BAT54CTB 通常采用SOT23-6封装,体积小巧,便于在高密度电路设计中使用。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(VDS):-20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):-4.4A(在VGS= -4.5V时)
导通电阻(RDS(on)):34mΩ(典型值,VGS=-4.5V)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:SOT23-6
BAT54CTB 的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通损耗,提高系统效率。在VGS为-4.5V时,典型导通电阻仅为34mΩ,使其非常适合用于高电流负载应用。
该器件具有良好的热稳定性和过热保护能力,在高功率操作下依然保持可靠性能。
BAT54CTB 还具备快速开关能力,减少开关损耗,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
此外,其SOT23-6封装形式不仅节省空间,而且便于表面贴装,适合自动化生产流程。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持-12V至+12V,适用于多种控制电路设计。
BAT54CTB 广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块和电机控制电路。由于其低导通电阻和高效能特性,特别适合用于需要高效能和低功耗设计的场合,例如智能手机、平板电脑和工业控制设备。
在电源管理系统中,BAT54CTB 可作为高侧或低侧开关使用,实现对负载的精确控制和保护。
Si2302DS、IRML2803、FDMS3618