BAT54CTB 时间：2025/8/15 1:37:52 阅读：40

BAT54CTB 是一款由恩智浦半导体（NXP）生产的双P沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于多种功率管理和负载开关应用。BAT54CTB 通常采用SOT23-6封装，体积小巧，便于在高密度电路设计中使用。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（在VGS= -4.5V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：34mΩ（典型值，VGS=-4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT23-6

特性

BAT54CTB 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。在VGS为-4.5V时，典型导通电阻仅为34mΩ，使其非常适合用于高电流负载应用。
　　该器件具有良好的热稳定性和过热保护能力，在高功率操作下依然保持可靠性能。
　　BAT54CTB 还具备快速开关能力，减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
　　此外，其SOT23-6封装形式不仅节省空间，而且便于表面贴装，适合自动化生产流程。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持-12V至+12V，适用于多种控制电路设计。

应用

BAT54CTB 广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块和电机控制电路。由于其低导通电阻和高效能特性，特别适合用于需要高效能和低功耗设计的场合，例如智能手机、平板电脑和工业控制设备。
　　在电源管理系统中，BAT54CTB 可作为高侧或低侧开关使用，实现对负载的精确控制和保护。