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BAT54CTB-AU_R1_000A1 发布时间 时间:2025/8/14 4:07:22 查看 阅读:13

BAT54CTB-AU_R1_000A1 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的双通用硅肖特基二极管。这款器件采用了SOT-23(SC-59)封装,非常适合用于高频和低电压整流应用。BAT54系列的器件通常用于保护电路、电平转换、信号隔离和低功耗设计中,具有较低的正向电压降和快速的开关特性。

参数

类型:双肖特基二极管
  正向电流(IF):100 mA
  反向电压(VR):30 V
  正向电压降(IF=10mA):约 0.25 V(典型值)
  最大反向电流(IR):100 nA(最大)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(SC-59)

特性

BAT54CTB-AU_R1_000A1 的主要特性之一是其双肖特基二极管结构,该结构提供了低正向电压降和快速恢复时间,这使得它非常适合用于高频开关电路。由于采用了硅基肖特基技术,该器件在低电压应用中表现出色,减少了能量损耗并提高了整体系统效率。
  此外,BAT54CTB-AU_R1_000A1 具有紧凑的SOT-23封装,非常适合空间受限的设计,例如便携式电子设备和高密度PCB布局。其低反向漏电流特性确保了在高温环境下仍能保持稳定的工作性能,提高了电路的可靠性。
  该器件还具有良好的热稳定性,能够在广泛的温度范围内正常工作,从-55°C到+150°C。这种宽温度范围使得BAT54CTB-AU_R1_000A1适用于工业级和汽车电子应用,其中温度波动较大。此外,该器件的快速开关特性使其适用于需要高频整流的应用,例如DC-DC转换器、电源管理系统和信号检测电路。
  另一个显著的特性是其高可靠性,NXP在制造过程中采用了先进的工艺技术和材料,确保了器件的长期稳定性和耐用性。这使得BAT54CTB-AU_R1_000A1成为保护电路中常用的选择,例如用于防止反向电流流动或作为隔离二极管使用。

应用

BAT54CTB-AU_R1_000A1 通常用于各种电子设备中,特别是在需要低电压整流和高频开关的场合。常见的应用包括DC-DC转换器中的整流二极管、电源管理系统中的负载隔离、电池供电设备中的电能管理、以及信号检测和电平转换电路。
  在便携式电子产品中,BAT54CTB-AU_R1_000A1 常用于降低功耗并提高能效,因为其低正向电压降可以减少能量损耗。此外,该器件也常用于保护电路中,例如用于防止反向电流流动或作为隔离二极管使用,确保系统在异常情况下的稳定性。
  在汽车电子系统中,BAT54CTB-AU_R1_000A1 可用于车载充电器、车身控制模块、传感器接口电路等应用。由于其宽工作温度范围和高可靠性,该器件能够在恶劣的汽车环境中稳定运行。
  在工业自动化和通信设备中,BAT54CTB-AU_R1_000A1 可用于信号整流、电源转换和电路保护。例如,在RS-485通信接口中,该器件可用于隔离不同电压域并保护收发器免受电压尖峰的影响。

替代型号

BAT54CTW-AU_R1_000A1, BAT54CWS, BAS70-04

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BAT54CTB-AU_R1_000A1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000,000 : ¥0.33723卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)200mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)600 mV @ 100 mA
  • 速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏2 μA @ 30 V
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-523
  • 供应商器件封装SOT-523