类型：双肖特基二极管
　　极性：共阴极（Common Cathode）
　　封装/包装：SOT-23（SC-59）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C（Tj）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：200mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
　　最大正向压降（VF）：@ IF=10mA时典型值为0.28V；@ IF=100mA时最大值为0.45V
　　反向漏电流（IR）：@ VR=25V时最大为0.1μA
　　反向恢复时间（trr）：≤4ns
　　结电容（Cj）：@ Vr=1V, f=1MHz时约为20pF
　　热阻（RθJA）：约350°C/W
　　安装类型：表面贴装（SMD）

BAT54CT-7-F的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构，这种结构通过金属与半导体之间的接触形成势垒，而非传统的PN结。这使得它具备非常低的正向导通电压，通常在0.28V至0.45V之间，显著低于常规硅二极管的0.7V左右。这一低VF特性极大地减少了导通状态下的功耗，在电池供电或能量敏感的应用中尤为重要，有助于提升系统整体效率并延长续航时间。此外，低电压降还能减少热量积累，提高系统的热稳定性。
　　另一个关键特性是其极快的开关速度，反向恢复时间（trr）不超过4ns，远优于普通整流二极管（通常在几十到几百纳秒）。这意味着BAT54CT-7-F能够在高频环境下高效工作，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源、DC-DC转换器和高频信号解调电路。由于没有少子存储效应，肖特基二极管在关断过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗。
　　该器件还具备良好的温度稳定性和可靠性。其最大结温可达150°C，可在恶劣环境条件下稳定运行。同时，SOT-23封装体积小、重量轻，便于高密度布局，非常适合空间受限的便携设备如智能手机、可穿戴设备和无线传感器节点。此外，共阴极结构设计使其在双路信号检测、逻辑电平移位或双通道箝位电路中使用方便，只需单个元件即可实现两个功能单元的集成，简化PCB布线并降低物料成本。
　　BAT54CT-7-F还具有较低的结电容（约20pF），有利于保持高频信号完整性，适用于射频前端、高速数据线路保护和模拟开关应用。尽管肖特基二极管的反向漏电流相对较高，但在常温下仍处于可接受范围（<0.1μA @25V），且在多数应用场景中影响有限。总体而言，BAT54CT-7-F以其优异的电气性能、紧凑的封装和高可靠性，成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

BAT54CT-7-F因其高性能和小尺寸被广泛用于多种电子系统中。在电源管理领域，常用于低压差线性稳压器（LDO）输出端的反向极性保护，防止电池反接损坏主控芯片；也可作为OR-ing二极管用于多电源选择电路中，确保仅有一个电源向系统供电，避免回流。在DC-DC转换器中，可用于同步整流辅助电路或续流路径，特别是在非隔离式Buck或Boost拓扑中提供快速响应的续流通道。
　　在数字逻辑接口方面，BAT54CT-7-F可用于不同电压域之间的电平转换，例如将3.3V信号安全地连接到5V输入引脚，利用其低VF特性实现双向电平移位，常见于I2C、UART等串行通信总线中。此外，其快速响应能力也适用于高速开关信号的整形与钳位，防止过冲或负压冲击微控制器IO口。
　　在射频与模拟电路中，该器件可用于ESD（静电放电）保护和瞬态电压抑制，保护敏感的射频前端模块或ADC输入端免受外界干扰。其低结电容对高频信号影响小，适合用作旁路或耦合路径中的保护元件。
　　在消费类电子产品如手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中，BAT54CT-7-F常用于充电管理、按键去抖、LED驱动控制和传感器信号调理等子系统。工业控制、汽车电子（非动力系统）和物联网设备中也有广泛应用，尤其是在需要长期稳定运行和高温耐受性的场合。其表面贴装形式兼容回流焊工艺，适合大规模自动化生产。

[
　　 "BAT54CWS",
　　 "BAT54C-T",
　　 "BAT54C-S",
　　 "RB751S-40",
　　 "BAS40-04",
　　 "SMS7621",
　　 "MAX44249XK+T"
　　]