时间：2025/11/8 3:17:55
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BAT54CHMT116是一款由多家半导体制造商（如ON Semiconductor、Nexperia等）生产的表面贴装双串联肖特基势垒二极管，采用SOT-363（SC-88）小型封装，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局。该器件集成了两个独立的肖特基二极管，以共阴极配置连接，广泛用于低压、高频整流、信号解调、极性保护以及电源管理电路中。得益于其低正向导通电压（通常在0.3V左右，具体取决于工作电流），BAT54CHMT116能够在低功耗系统中有效减少能量损耗，提高整体效率。该器件采用无铅环保工艺制造，符合RoHS指令要求，适合自动贴片生产线的回流焊工艺。
作为一款高性能的硅肖特基二极管，BAT54CHMT116具有快速开关特性，反向恢复时间极短（通常小于1ns），因此特别适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电池供电设备及各类消费类电子产品中的信号处理路径。其SOT-363封装仅有6个引脚，尺寸紧凑（约2.0mm x 1.25mm x 0.95mm），非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等对体积敏感的应用场景。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，在工业温度范围内（-55°C至+150°C）均可稳定工作，确保长期运行的稳定性与安全性。
类型：双串联肖特基二极管
配置：共阴极
封装/包装：SOT-363 (SC-88)
最大重复峰值反向电压（VRRM）：30 V
最大直流阻断电压（VR）：30 V
平均整流电流（IO）：200 mA
峰值正向浪涌电流（IFSM）：500 mA
最大正向电压（VF）@ 10mA：0.37 V
最大正向电压（VF）@ 100mA：0.55 V
最大反向漏电流（IR）@ 25°C：2 μA
反向恢复时间（trr）：1 ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
BAT54CHMT116的核心优势在于其低正向导通压降与快速响应能力，这使得它在低电压、高效率的电源管理系统中表现出色。由于采用了先进的肖特基势垒技术，该器件在正向导通时几乎没有少数载流子储存效应，从而显著降低了开关过程中的能量损耗，并实现了纳秒级的反向恢复时间。这种特性使其在高频整流应用中远优于传统PN结二极管，尤其适用于DC-DC升压或降压转换器中的续流或防倒灌二极管。
该器件的共阴极结构设计允许两个阳极共享一个公共阴极连接，便于在双路输入保护、多电源选择或逻辑电平移位电路中实现简洁高效的布线方案。例如，在USB接口或多电池切换系统中，BAT54CHMT116可用于防止不同电源之间的反向电流流动，同时实现自动电源优先选择功能，而无需额外控制电路。
SOT-363封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能和机械强度，适合高密度表面贴装工艺。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、温度循环和湿度敏感度等级（MSL 1）认证，确保在严苛环境下仍能保持稳定的电气性能。此外，其低漏电流特性（典型值仅为0.1μA @ VR=20V）有助于降低待机功耗，提升电池寿命，特别适合应用于移动设备和低功耗传感器节点。
BAT54CHMT116还具备优异的抗静电能力（ESD protection up to ±2kV HBM），增强了在装配和使用过程中的鲁棒性。整体而言，该器件结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代电子系统中理想的通用型肖特基二极管解决方案。
BAT54CHMT116广泛应用于各类需要高效、紧凑型二极管的电子系统中。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源路径管理，如智能手机、平板电脑和智能手表中的电池充电与放电保护电路；在多电源系统中作为理想二极管实现电源冗余与自动切换，例如主电池与备用电池之间或USB供电与电池供电之间的无缝切换。
该器件也常用于DC-DC转换器中的续流二极管或输出整流环节，特别是在低电压（如3.3V或5V）系统中，其低VF特性可显著提升转换效率并减少发热。此外，在信号整流、高频检波、输入反接保护、I/O端口钳位以及逻辑电平转换电路中也有广泛应用。
在通信设备中，BAT54CHMT116可用于射频信号检测或瞬态电压抑制辅助电路；在工业控制系统中，则可用于传感器信号调理模块的保护电路。由于其符合汽车级可靠性标准的部分版本存在，该器件也可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等非动力总成类应用场景。总之，凡是对空间、功耗和响应速度有较高要求的场合，BAT54CHMT116均是一个可靠且经济的选择。
BAT54C, BAT54S, BAV99, PMST238, SMBTA54
