类型：共阴极双肖特基二极管
　　封装：SOD-323
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向电流（IF）：200mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：0.36V @ 0.1mA，0.58V @ 10mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C，10μA @ 125°C
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约450 K/W

BAT54CG的核心特性之一是其低正向导通电压，这得益于其肖特基势垒结构。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管利用金属-半导体接触形成势垒，从而显著降低了正向压降。在10mA的工作电流下，BAT54CG的典型正向电压仅为0.58V，远低于普通硅二极管的0.7V~1.0V。这一特性使其在低电压供电系统中表现出色，能够有效减少功率损耗，提高能效。尤其在电池供电设备中，如智能手机、可穿戴设备和无线传感器节点，降低压降意味着更长的续航时间。此外，低VF还有助于减少热积累，提升系统整体的热稳定性。由于其结构基于贵金属（如铂或钛）与N型硅形成的肖特基接触，器件对高温和长时间工作下的退化较为敏感，因此需注意散热设计和工作条件限制。
　　另一个关键特性是其快速开关能力。肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不涉及少数载流子的存储效应，因此反向恢复时间极短，通常在纳秒级别甚至更低。对于BAT54CG而言，虽然官方数据手册未明确给出反向恢复时间（trr），但基于同类器件的性能推测，其值应小于10ns。这种高速开关特性使其非常适合用于高频整流、信号解调和高速逻辑电路中的瞬态抑制。例如，在USB接口的ESD保护或I2C总线的电平转换电路中，BAT54CG能够迅速响应电压变化，防止信号失真或器件损坏。此外，快速开关还能减少开关过程中的能量损耗，进一步提升效率。
　　BAT54CG采用SOD-323小型表面贴装封装，尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm，非常适合高密度PCB布局。该封装支持回流焊工艺，具有良好的机械强度和热循环耐久性。其引脚排列清晰，便于自动贴片机识别和焊接。由于封装体积小，寄生电感和电容较低，有助于保持高频信号的完整性。同时，该器件符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品环保标准。其工作结温可达+150°C，存储温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于严苛环境下的应用，如汽车电子或工业控制设备。尽管额定电流仅为200mA，但在大多数信号级应用中已完全足够。

BAT54CG常用于多种电子电路中，尤其是在需要低电压损耗和快速响应的场合。一个典型应用是在电源路径管理中的极性反接保护。当系统由外部电源供电时，BAT54CG可以防止因电源极性接反而导致的损坏。由于其低正向压降，即使串联在电源路径中也不会显著影响系统效率。另一个重要应用是电压钳位和ESD保护。在高速数字接口（如I2C、SPI、UART）中，BAT54CG可用于将信号电压限制在安全范围内，防止过压或静电放电损坏后续的CMOS器件。其两个共阴极二极管可分别连接到VCC和地，实现双向钳位功能。
　　在电平转换电路中，BAT54CG也发挥着重要作用。例如，在3.3V微控制器与5V传感器通信时，可通过BAT54CG构建简单的单向电平移位器，确保信号兼容且不会产生反向电流。此外，它还可用于电池充电管理电路中的防倒灌二极管，防止电池向充电源反向放电。在射频和模拟前端电路中，BAT54CG可用于检波或小信号整流，因其低噪声和快速响应特性而优于传统二极管。在便携式设备中，该器件还常用于LED背光驱动电路中的电流隔离，或作为多电源系统的优先供电选择器。由于其封装小巧，也适合用于空间受限的可穿戴设备和模块化电路板设计。

BAS40-04, PMEG2005EH, RB750S-40, SMS7621, NSL0101HM3T1G