时间：2025/8/14 6:09:35
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BAT54AW-LT/R是一款由Nexperia（原恩智浦半导体分立器件业务）生产的双P沟道增强型MOSFET阵列，广泛应用于低电压和便携式电子设备中。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET，采用TSSOP-8封装，适合用于负载开关、电平转换、电源管理以及电池供电设备中的开关控制。BAT54AW-LT/R具有低导通电阻、低阈值电压以及良好的热稳定性，能够在低电压条件下提供高效的开关性能。该器件符合RoHS标准，适用于多种工业和消费类电子产品。
类型：P沟道MOSFET阵列
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：-8V
连续漏极电流（ID）：100mA（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值，VGS = -4.5V）
阈值电压（VGS(th)）：-0.45V至-1.0V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TSSOP-8
安装类型：表面贴装
BAT54AW-LT/R采用先进的Trench MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其低阈值电压使得该器件可以在较低的控制电压下工作，适用于3.3V或更低的电源管理系统。该MOSFET阵列的两个独立通道可以分别控制，提供了灵活的电路设计可能性，适用于多路负载开关或电平转换应用。
BAT54AW-LT/R具有良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高密度PCB布局中保持稳定的性能。该器件的封装尺寸小巧，适合用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式医疗设备等。此外，该器件具有较高的ESD耐受能力，能够在制造和使用过程中提供更高的可靠性。
该MOSFET阵列的栅极驱动要求较低，能够与常见的数字控制器或逻辑电路直接兼容，无需额外的栅极驱动器。其开关速度快，能够支持高频操作，适用于PWM控制等应用。BAT54AW-LT/R的功耗较低，有助于延长电池供电设备的续航时间。
BAT54AW-LT/R适用于多种低电压电子系统中的电源管理应用，包括便携式消费电子产品中的负载开关控制、LED背光调节、电池充电管理以及DC-DC转换器中的同步整流。该器件的双通道结构使其非常适合用于多路电源切换或电平转换电路，例如在微控制器与外围设备之间进行电压匹配。此外，BAT54AW-LT/R还可用于工业控制系统中的低功耗开关电路、传感器接口电路以及通信设备中的电源管理模块。
Si2302DS-S，FDN304P，BSS84，2N7002K，DMG2302UX
