类型：双串联肖特基势垒二极管
　　极性：共阳极（Common Anode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向连续电流（IF）：200mA
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
　　正向电压（VF）：典型值0.28V @ 0.1mA，最大值0.4V @ 0.1mA；典型值0.58V @ 10mA，最大值0.75V @ 10mA
　　反向漏电流（IR）：最大5μA @ 25°C，最大200μA @ 125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值<4ns
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23（SC-59）

BAT54ARF的核心优势在于其低正向导通压降和快速开关响应能力，这主要得益于其采用的铂-硅肖特基接触技术，避免了传统PN结二极管中的少数载流子存储效应，从而显著提升了开关速度并降低了功耗。其正向电压在低电流条件下可低至0.28V左右，远低于普通硅二极管的0.7V门槛，这一特性使其非常适合用于低压信号处理电路和电池供电设备中的节能设计。此外，由于没有反向恢复电荷（Qrr接近零），BAT54ARF在高频开关应用中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，有助于减少电磁干扰（EMI）并提高系统效率。
　　该器件的共阳极结构使其特别适用于双路信号钳位或双通道输入保护电路。例如，在I/O端口保护中，两个阴极分别连接到不同的信号线，阳极接地，当信号电压超过电源轨或低于地电平时，相应二极管导通，将电压限制在安全范围内，防止后级IC受损。这种结构也常用于双路电平转换电路中，实现不同电压域之间的信号传递。由于其小尺寸SOT-23封装，BAT54ARF非常适合高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求极为严格的终端产品。
　　在可靠性方面，BAT54ARF具备良好的热稳定性和长期工作稳定性。其金属化层和钝化工艺经过优化，能够在高温高湿环境下保持稳定的电气性能。器件通过了AEC-Q101汽车级认证的部分版本（具体取决于制造商），可用于车载信息娱乐系统、传感器接口等非动力总成应用。此外，其低漏电流特性在高温下仍能保持相对稳定，确保在恶劣工作条件下不会因漏电增加而导致系统异常。总体而言，BAT54ARF是一款性能均衡、应用广泛的通用型双肖特基二极管，兼顾了电气性能、封装尺寸与成本效益。

BAT54ARF广泛应用于各类需要低电压降、快速响应和小型封装的电子系统中。在便携式消费电子产品中，它常被用作电池充电管理电路中的防倒灌二极管，防止电池电流反向流入电源路径，同时因其低VF特性可减少能量损耗，延长设备续航时间。在数字逻辑电路中，BAT54ARF可用于实现电平移位功能，例如将3.3V信号安全地连接到5V tolerant引脚，通过钳位作用保护低压IC免受过压损伤。
　　在通信接口保护方面，BAT54ARF常用于USB、I2C、SPI等高速数据线路的ESD防护。其快速响应时间和低结电容（典型值约20pF）使其能够有效吸收瞬态静电放电能量，同时对信号完整性影响极小，确保数据传输的可靠性。在多电源系统中，该器件可用于电源轨之间的OR-ing操作，自动选择较高电压的电源为系统供电，实现冗余电源切换或主备电源无缝切换。
　　此外，BAT54ARF还常见于模拟前端电路中的输入保护，防止运算放大器或ADC输入端因意外过压而损坏。在射频模块中，它也可作为检波二极管使用，利用其非线性伏安特性提取调制信号。由于其双二极管集成在一个封装内，相比使用两个分立二极管，不仅节省了PCB面积，还简化了装配流程，降低了整体成本。因此，无论是在工业控制、汽车电子、医疗设备还是物联网节点中，BAT54ARF都扮演着关键的保护与信号调理角色。

BAS40-04T1G
　　BAT54ALT1
　　BAT54CWS
　　DMK1404LHE-7
　　RB751S-40