类型：双串联肖特基二极管
　　配置：共阳极（双阳极连接）
　　封装形式：SOT-23（SC-59）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：200mA
　　最大峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：@ IF = 10mA 时典型值 0.35V；@ IF = 100mA 时最大值 0.55V
　　最大反向漏电流（IR）：@ VR = 25V 且 TA = 25°C 时典型值 0.1μA，最大值 5μA
　　反向恢复时间（trr）：通常小于 4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C

BAT54-7-G的核心特性之一是其低正向导通压降，这是由肖特基势垒结构决定的物理特性。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管通过金属-半导体接触形成势垒，避免了少数载流子的注入和复合过程，因此在导通时产生的电压降更低，通常在0.3V到0.55V之间，具体数值随电流增大而略有上升。这一特性极大地减少了二极管在导通状态下的功率损耗（P = Vf × If），对于需要长时间运行或依赖电池供电的设备而言至关重要，有助于延长电池寿命并减少散热需求。此外，低Vf也意味着在电源路径中的电压损失更小，有利于维持系统电压稳定性。
　　另一个关键特性是其快速开关能力。由于肖特基二极管主要依赖多数载流子导电，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间（trr）非常短，BAT54-7-G的典型值小于4ns。这使得它能够在高频开关电路中迅速关闭，减少开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰，适用于中高频整流、信号解调和高速逻辑接口保护等场景。尽管其反向击穿电压相对较低（最高30V），限制了在高压系统中的使用，但在低压DC-DC转换器、USB电源路径、电池充电电路等常见低压应用中完全胜任。
　　BAT54-7-G采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，适合高密度印刷电路板布局，同时支持自动化贴片工艺，提升了生产效率和一致性。其共阳极双二极管结构使其非常适合用于双路输入保护或双通道信号钳位，例如在I/O端口防止过压或静电放电（ESD）冲击。此外，该器件具有良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围，可在严苛环境下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子和户外通信设备等领域。

BAT54-7-G广泛应用于各类电子系统中，尤其是在需要高效、紧凑型二极管解决方案的设计中。一个典型的应用是在电源输入端实现极性反接保护。当使用电池或外部适配器供电时，若用户错误地将正负极接反，可能导致电路损坏。通过将BAT54-7-G的共阳极连接到地，两个阴极分别连接到两条独立的电源路径，可以在反接时阻断电流，从而保护后级电路。此外，在双电源系统中，例如主电源与备用电池切换的场合，BAT54-7-G可用于实现“或逻辑”电源选择，防止电源倒灌，确保系统持续供电。
　　在信号处理方面，BAT54-7-G常用于模拟或数字信号线的电压钳位和静电放电（ESD）保护。其低电容特性（通常在几个皮法范围内）使其对高速信号的影响较小，能够有效将瞬态高压引导至地或电源轨，避免敏感IC受损。例如，在微控制器的GPIO引脚、通信接口（如I2C、UART）或传感器输入端，BAT54-7-G可作为低成本、高可靠性的保护元件。
　　此外，该器件也常用于低压整流电路，如小功率AC-DC转换器中的全波或半波整流，特别是在空间受限的便携式设备中。由于其低Vf和快速响应特性，BAT54-7-G还能用于采样保持电路、峰值检测器和电压倍增器等精密模拟电路中，提升整体性能。在LED驱动、电平转换和隔离电路中也有广泛应用。其SOT-23封装便于手工焊接或回流焊，适合从原型开发到批量生产的全过程。

BAS40-04W-7-F
　　RB751S-40
　　MBR0520
　　PMX1040U
　　DMK14DUM