BAT54 R1 时间：2025/8/14 12:09:56 阅读：10

BAT54 R1是一款由NXP Semiconductors生产的双P沟道增强型MOSFET集成电路，常用于负载开关、电源管理和电池供电设备中的低电压控制应用。该器件采用TSSOP封装，具备较小的封装尺寸，适合便携式电子设备的高密度布局需求。BAT54 R1主要设计用于提供高效的电源控制，具备低导通电阻和快速开关特性，使其在低功耗应用中表现优异。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　封装类型：TSSOP
　　最大漏源电压(Vds)：20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　最大连续漏极电流(Id)：-400mA（每个通道）
　　导通电阻(Rds(on))：1.2Ω @ Vgs = 4.5V
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　电源电压范围：1.8V至5.5V
　　静态电流：100nA（典型值）

特性

BAT54 R1具有双通道P沟道MOSFET结构，适用于低电压和中等电流的负载开关应用。其低导通电阻确保了在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。该器件内置的栅极驱动电路允许其直接由微控制器或其他逻辑信号控制，无需额外的驱动电路，简化了电路设计。
　　此外，BAT54 R1具备快速开关能力，可有效减少开关过程中的能量损耗，降低热量产生。其支持的宽电压工作范围（1.8V至5.5V）使其适用于多种电源管理场景，包括便携式设备的电池供电控制。
　　该器件还具备良好的热稳定性和过温保护特性，确保在高负载或异常工作条件下仍能维持稳定运行，延长设备的使用寿命。

应用

BAT54 R1广泛应用于便携式电子设备中的负载开关和电源管理系统，如智能手机、平板电脑、数码相机和可穿戴设备等。其双通道结构允许用户同时控制两个独立负载，适用于多路电源管理需求。此外，该器件也常用于USB电源管理、DC-DC转换器和低电压电机控制等场景。
　　在电池供电设备中，BAT54 R1可用于控制电池与负载之间的电源连接，实现高效的电源管理策略，延长电池续航时间。由于其低静态电流和高速开关特性，该器件也适用于需要快速响应和低功耗控制的系统。