时间:2025/12/27 20:37:08
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BAT140A是一种硅外延平面型低压降肖特基势垒二极管,广泛应用于高频率开关电源、极性保护电路以及信号解调等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低正向压降和快速反向恢复时间的特点,使其在高频工作条件下表现出优异的整流性能。BAT140A通常封装在SOD-323或类似的小型表面贴装封装中,适合空间受限的便携式电子设备使用。其结构设计优化了载流子传输效率,减少了功耗并提升了整体能效。由于其出色的热稳定性和可靠性,BAT140A被广泛用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理模块中。此外,它也适用于DC-DC转换器中的续流二极管或反向阻断元件,在轻负载和中等电流条件下均能保持高效运行。该器件对静电放电(ESD)具有一定的耐受能力,并符合RoHS环保要求,不含铅和其他有害物质,满足现代电子产品绿色制造的标准。
类型:肖特基二极管
封装:SOD-323
极性:单路
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大直流反向电压(VR):30V
最大有效值电压(VRMS):21V
最大平均整流电流(IO):200mA
峰值浪涌电流(IFSM):0.5A
最大正向压降(VF)@100mA:0.36V
最大反向漏电流(IR)@25°C:0.1μA
最大反向漏电流(IR)@85°C:10μA
最大反向恢复时间(trr):4ns
工作结温范围(TJ):-55℃ ~ +125℃
存储温度范围(Tstg):-55℃ ~ +150℃
BAT140A的核心优势在于其低正向导通压降与超快开关速度的结合,这使得它在高频开关电源应用中表现尤为出色。在典型工作条件下,当正向电流为100mA时,其正向压降仅为0.36V左右,远低于传统PN结二极管的0.7V水平,从而显著降低了导通损耗,提高了系统效率。这种低VF特性对于电池供电设备尤其重要,因为它有助于延长续航时间。
其次,BAT140A的反向恢复时间(trr)典型值仅为4ns,这意味着它能够在极短时间内完成从导通到截止状态的切换,极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),非常适合用于高频DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及高速信号整流场合。相比普通整流二极管,其快速响应能力避免了因载流子存储效应引起的延迟问题,提升了整个电源系统的动态响应性能。
此外,该器件具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能维持较低的漏电流水平。在85°C时最大反向漏电流为10μA,虽然随温度升高有所增加,但在同类小型封装肖特基二极管中仍处于较优水平。这一特性确保了其在紧凑布局、散热条件有限的应用中依然可靠运行。
BAT140A采用SOD-323小尺寸表面贴装封装,体积小巧,便于自动化贴片生产,适用于高密度PCB布局。其机械强度良好,焊接可靠性高,并支持回流焊工艺。同时,该器件通过了多项国际环保认证,符合无铅和RoHS指令要求,适用于出口型电子产品及对环境友好的设计需求。综合来看,BAT140A是一款性能均衡、成本适中且高度集成化的微型肖特基二极管,是现代低功耗、高效率电子系统中的理想选择之一。
BAT140A因其低正向压降和快速开关特性,广泛应用于多种电子电路设计中。最常见的用途是在便携式消费类电子产品中的电源管理系统,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充电回路与极性反接保护电路。在这些应用中,BAT140A可以防止因电池安装错误或外部电源反接而导致的设备损坏,同时由于其低导通压降,不会显著影响系统供电效率。
另一个主要应用场景是DC-DC转换器中的续流二极管或箝位二极管。在升压(Boost)、降压(Buck)或反激式(Flyback)拓扑结构中,BAT140A用于提供电感电流的续流通路,抑制开关管关断时产生的反向电动势,保护MOSFET或晶体管不受高压冲击。由于其快速反向恢复能力,能够有效减少开关节点的振铃现象,降低电磁干扰,提升电源整体稳定性。
此外,BAT140A也常用于信号解调电路,尤其是在高频通信模块中作为检波二极管使用。其低结电容和快速响应特性使其能够准确捕捉高频信号包络,适用于红外接收头、无线遥控接收器等低功率信号处理场景。
在嵌入式系统和微控制器单元(MCU)外围电路中,BAT140A可用于隔离不同电源域之间的电流倒灌,例如在主电源与备用电池之间设置防倒灌路径,确保实时时钟(RTC)或其他关键功能在主电源断开后仍能正常工作。
最后,由于其小型化封装和高可靠性,BAT140A也被广泛用于LED驱动电路、传感器供电隔离、USB接口电源保护等领域,适用于需要高效、稳定且空间受限的设计方案。
BAS70-04W\, PMEG3020CPA\, RB520S30T100\, MMBD914