BAS716F是一款由Nexperia生产的双通道N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),采用TSSOP(TVSOP)封装,适用于高频开关应用。该器件设计用于低电压、高效率的功率转换系统,如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理模块。BAS716F具有低导通电阻(Rds(on))、低栅极电荷(Qg)以及快速开关特性,使其在高频应用中表现优异。
类型:N沟道MOSFET
结构:双通道
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):4.8A(每个通道)
导通电阻(Rds(on)):最大32mΩ @ Vgs = 4.5V
栅极电荷(Qg):8.3nC
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TSSOP-8
BAS716F具有出色的电气性能和热管理能力,其双通道设计使得在单个封装中实现两个独立的MOSFET功能,节省PCB空间并提高系统集成度。该器件的低导通电阻减少了导通损耗,提高了效率;同时,低栅极电荷特性降低了开关损耗,使其适用于高频开关电源应用。
此外,BAS716F具备良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。其TSSOP封装具有良好的散热性能,适合用于便携式设备和高密度电路设计。该器件符合RoHS环保标准,适用于自动化贴片生产线。
在应用方面,BAS716F常用于DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动、电机控制以及各种低电压功率开关场合。其高可靠性和优异的性能使其成为汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。
BAS716F广泛应用于各类功率电子系统中,包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、LED照明系统、电池管理系统以及便携式电子设备的电源管理单元。其双通道结构也适用于H桥驱动、电源切换和多路输出控制等场合。
BAS716F的替代型号包括BAS716、BAS716FHT、BAS716FH