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BAS716F 发布时间 时间:2025/9/14 14:09:11 查看 阅读:8

BAS716F是一款由Nexperia生产的双通道N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),采用TSSOP(TVSOP)封装,适用于高频开关应用。该器件设计用于低电压、高效率的功率转换系统,如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理模块。BAS716F具有低导通电阻(Rds(on))、低栅极电荷(Qg)以及快速开关特性,使其在高频应用中表现优异。

参数

类型:N沟道MOSFET
  结构:双通道
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):4.8A(每个通道)
  导通电阻(Rds(on)):最大32mΩ @ Vgs = 4.5V
  栅极电荷(Qg):8.3nC
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TSSOP-8

特性

BAS716F具有出色的电气性能和热管理能力,其双通道设计使得在单个封装中实现两个独立的MOSFET功能,节省PCB空间并提高系统集成度。该器件的低导通电阻减少了导通损耗,提高了效率;同时,低栅极电荷特性降低了开关损耗,使其适用于高频开关电源应用。
  此外,BAS716F具备良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行。其TSSOP封装具有良好的散热性能,适合用于便携式设备和高密度电路设计。该器件符合RoHS环保标准,适用于自动化贴片生产线。
  在应用方面,BAS716F常用于DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动、电机控制以及各种低电压功率开关场合。其高可靠性和优异的性能使其成为汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。

应用

BAS716F广泛应用于各类功率电子系统中,包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、LED照明系统、电池管理系统以及便携式电子设备的电源管理单元。其双通道结构也适用于H桥驱动、电源切换和多路输出控制等场合。

替代型号

BAS716F的替代型号包括BAS716、BAS716FHT、BAS716FH

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BAS716F参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥2.38000剪切带(CT)10,000 : ¥0.30764卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)75 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25 V @ 150 mA
  • 速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr)3 μs
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 nA @ 75 V
  • 不同?Vr、F 时电容2pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装SOD-523
  • 工作温度 - 结150°C(最大)