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BAS70W-06 发布时间 时间:2025/8/17 4:32:21 查看 阅读:21

BAS70W-06 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)制造的表面贴装(SMD)双极型晶体管(BJT)阵列,内部包含两个独立的NPN晶体管。该器件设计用于高频开关应用,具有低电容和快速开关特性,适用于数字电路、逻辑电路以及射频(RF)电路中的信号处理。由于其紧凑的SOT-363封装形式,BAS70W-06非常适合用于空间受限的高密度PCB设计。

参数

晶体管类型:双NPN晶体管(匹配对)
  集电极-发射极电压(VCEO):30V
  集电极电流(IC):100mA(每个晶体管)
  功率耗散(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  增益带宽(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据等级划分)
  封装类型:SOT-363(6引脚)

特性

BAS70W-06 的核心优势在于其集成的双晶体管结构和优化的高频性能。每个晶体管都具备出色的开关速度和低输入电容,使得该器件在处理高频信号时具有更低的延迟和更高的效率。此外,BAS70W-06采用了先进的硅外延平面工艺制造,确保了器件的高稳定性和可靠性,特别适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。
  其SOT-363封装不仅节省空间,还提供了良好的热管理和机械稳定性,适合自动化装配流程。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适用于绿色电子产品的设计。
  在电气特性方面,BAS70W-06 提供了较宽的工作温度范围(-55°C至+150°C),使其在极端温度条件下仍能保持稳定工作。晶体管的电流增益(hFE)范围较广,可根据具体应用需求选择不同等级的器件,提高了设计的灵活性。

应用

BAS70W-06 主要应用于需要高频开关和信号处理的场合,例如无线通信模块中的射频开关、逻辑电平转换电路、缓冲器和驱动电路等。此外,它也常用于音频放大器、传感器接口电路、微控制器外围电路以及工业控制设备中的信号调节和处理。
  由于其双晶体管结构和匹配特性,BAS70W-06也适用于差分放大电路、振荡器和模拟开关等需要一致性性能的电路设计。在汽车电子系统中,如车载娱乐系统、车身控制模块和传感器接口模块中也有广泛应用。

替代型号

BC847BDS, BC857BDS, MMBT3904LT1, 2N3904, BC547

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