类型：肖特基二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流阻断电压（VR）：70V
　　最大均方根电压（VRMS）：50V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　最大正向压降（VF）：@10mA: 1.0V, @50mA: 1.1V
　　最大反向漏电流（IR）：@25°C: 1μA, @85°C: 100μA
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOD-323（SC-76）
　　包装形式：卷带（Tape and Reel）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级
　　安装类型：表面贴装（SMT）

BAS70T-7-F的核心特性之一是其采用肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒实现整流功能，相比传统的PN结二极管，具有更低的正向导通压降和更快的开关速度。在典型工作条件下，当正向电流为10mA时，其正向压降仅为1.0V，在50mA时也仅上升至1.1V，这意味着在高频开关或信号处理应用中能够显著降低功耗并减少热量产生。此外，其反向恢复时间（trr）仅为4ns，远低于普通硅二极管的数十甚至上百纳秒，使得该器件非常适合用于高频整流、高速逻辑电平转换和瞬态电压抑制等场景。
　　另一个关键优势在于其小型化的SOD-323封装，尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.1mm，极大节省了PCB布局空间，特别适用于高密度集成的便携式电子设备。尽管体积小巧，但该封装仍具备良好的热传导性能，能够在环境温度高达125°C的结温下持续运行。同时，该器件具备出色的反向击穿耐受能力，最大重复反向电压可达70V，使其不仅可用于低压信号电路，也可应用于某些中等电压等级的保护与检测回路。
　　BAS70T-7-F还展现出优异的温度稳定性，其反向漏电流在常温25°C时不超过1μA，在高温85°C时仍控制在100μA以内，确保在宽温环境下保持稳定的电气性能。这一特性对于工业控制、汽车电子及户外通信设备尤为重要。此外，该器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），增强了其在严苛环境下的可靠性。整体而言，BAS70T-7-F凭借其高速、低损耗、小尺寸和高可靠性的综合优势，成为众多模拟与数字混合电路中的理想选择。

BAS70T-7-F因其高速开关特性和紧凑封装，被广泛应用于多种电子系统中。在消费类电子产品中，它常用于手机、平板电脑和智能手表中的电源轨保护与电池充放电管理电路，作为防止反接或过压的单向导通元件。在信号处理领域，该二极管可用于高频信号检波、调制解调电路以及RF前端的限幅保护，有效防止大信号损坏敏感的接收器组件。此外，在数字逻辑接口中，BAS70T-7-F常被用作电平移位器，实现不同供电电压IC之间的信号兼容，例如将3.3V逻辑连接到5V系统时进行钳位保护。
　　在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC转换器中的续流二极管或同步整流辅助路径，提升转换效率并减少电磁干扰。其快速响应能力也有助于抑制电压尖峰和反电动势，保护MOSFET或其他功率器件。在传感器模块中，BAS70T-7-F可用于输入端的静电放电（ESD）防护和瞬态电压抑制，提高系统的抗干扰能力和长期稳定性。此外，由于其符合RoHS标准且支持无铅焊接工艺，适用于自动化贴片生产线，因此在工业控制板、智能家居设备、物联网节点和无线通信模块中均有广泛应用。汽车电子领域也是其重要应用场景之一，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器接口电路中的信号整流与保护。

BAV99W-7-F
　　RB751S-40
　　MBR0520T1G
　　PMDS30UN