型号：BAS70T/R
　　制造商：NXP Semiconductors
　　封装类型：SOT-23
　　二极管配置：双共阴极（Dual Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流阻断电压（VR）：70V
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　连续正向电流（IF）：200mA（每二极管）
　　正向压降（VF）：典型值1.0V，最大值1.2V（在IF=10mA条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大5μA（在VR=70V, TA=25°C）
　　结温范围（Tj）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：≤4ns（典型值）
　　热阻抗（Rth j-a）：约450K/W（自由空气环境）
　　安装方式：表面贴装（Surface Mount）
　　引脚数：3
　　符合RoHS：是

BAS70T/R的核心特性之一是其采用的肖特基势垒技术，这使得它相较于传统的PN结二极管具有更低的正向导通电压和更快的开关响应速度。在典型的10mA正向电流下，其正向压降仅为1.0V左右，最高不超过1.2V，这一特性显著降低了功耗并提升了能效，尤其适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。由于没有少子存储效应，肖特基二极管的反向恢复时间极短，BAS70T/R的trr典型值小于4纳秒，使其能够在高频信号整流、高速逻辑门电路和瞬态电压抑制中表现出色，有效减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。
　　该器件的双共阴极结构设计增强了其在多通道信号处理中的灵活性。例如，在多个输入信号需要分别进行钳位或检波时，可以共享一个接地参考点，从而简化PCB布局并节省空间。此外，70V的最大反向电压使其能够适应多种中低压电源环境，包括5V、12V乃至24V控制系统，适用于工业传感器接口、通信线路保护和微控制器I/O端口防护等领域。
　　BAS70T/R的SOT-23封装不仅体积小巧（约3mm x 1.4mm），还具备良好的散热性能和机械强度，支持自动贴片机高速装配，非常适合大规模生产。其工作结温可达+150°C，确保在高温环境中仍能稳定运行，满足汽车电子和工业设备的严苛要求。同时，该器件具有较低的寄生电容（典型值约8pF），有助于保持高频信号完整性，避免信号衰减或失真。综合来看，BAS70T/R在性能、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是一款极具竞争力的通用型高频肖特基二极管阵列。

BAS70T/R被广泛应用于各种需要高速开关和低功耗特性的电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常用于电池管理电路中的电压检测路径、充电状态指示灯驱动回路以及USB接口的信号钳位保护，防止因过压或反接造成的损坏。在通信领域，该器件可用于射频前端模块中的信号检波电路或小信号整流，利用其快速响应能力和低VF特性实现高效的能量提取与信号调理。
　　在工业自动化系统中，BAS70T/R经常出现在PLC输入输出模块、传感器信号调理电路和隔离电源反馈回路中，承担电平转换、反向极性保护和瞬态电压抑制等功能。其70V耐压能力足以应对常见的现场总线电压波动，而快速恢复特性则有助于提高系统的动态响应精度。在汽车电子方面，该器件可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）和辅助驾驶系统的信号接口部分，提供可靠的ESD保护和噪声滤波，符合AEC-Q101车规级认证要求（视具体批次而定）。
　　此外，BAS70T/R也常见于开关电源（SMPS）的辅助绕组整流、待机电源的反馈网络以及DC-DC转换器的同步整流旁路二极管，协助主功率器件完成高效能量传递。在数字逻辑电路中，它可以作为电平移位器使用，将不同电压域的信号进行安全耦合，防止逻辑冲突。由于其封装小型化且易于集成，BAS70T/R也成为高密度PCB设计的理想选择，尤其适用于空间受限但功能复杂的嵌入式系统平台。

BAS70-04W, PMDS3, BAWG170, SMBJ70A