类型：双二极管
　　材质：硅
　　最大正向电流：100 mA
　　最大重复峰值反向电压：100 V
　　最大正向压降：1.25 V @ 10 mA
　　反向漏电流：100 nA @ 100 V
　　恢复时间：15 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

BAS70SLDKR-ND 具有出色的开关性能，其快速恢复时间（15 ns）使其非常适合用于高频电路中的信号整流和逻辑电平转换。该器件的双二极管结构设计允许在电路中实现多种功能，如电压钳位和信号隔离。
　　此外，BAS70SLDKR-ND 的最大正向电流为 100 mA，足以满足大多数低功率应用的需求。其最大重复峰值反向电压为 100 V，能够承受较高的反向电压，提高了电路的稳定性和可靠性。
　　该器件的正向压降为 1.25 V（在 10 mA 条件下），较低的压降有助于减少功率损耗，提高能效。同时，其反向漏电流仅为 100 nA（在 100 V 条件下），确保了在高阻断电压下的低漏电流表现。
　　封装方面，BAS70SLDKR-ND 采用 SOT-23 小型表面贴装封装，适合自动化生产和高密度 PCB 设计。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在较为严苛的环境条件下稳定运行。

BAS70SLDKR-ND 常用于多种电子系统中，包括但不限于：
　　1. 高频开关电路：用于快速切换信号或电源路径，适用于通信设备和数字电路。
　　2. 电压钳位和保护电路：在电路中用作瞬态电压抑制器，保护敏感电子元件免受过电压损坏。
　　3. 信号整流：用于将交流信号转换为直流信号，适用于传感器接口和模拟电路设计。
　　4. 逻辑电平转换：在不同电压域之间进行信号转换，适用于多电压系统中的接口设计。
　　5. 工业控制系统：用于继电器驱动、信号隔离和反馈控制电路中。
　　6. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理和信号处理电路。

1N4148WS-7-F, BAT54C-S-7-F, BAS70-04S-7-F