BAS70S是一种常用的双极型晶体管(BJT)阵列,包含两个独立的NPN晶体管。该器件通常用于高频开关应用、信号放大和数字逻辑电路中。BAS70S采用小型SOT-23封装,适合在空间受限的PCB设计中使用。每个晶体管具有相同的电气特性,可以独立使用或并联使用以提高电流处理能力。由于其优良的开关特性和低成本,BAS70S广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
晶体管类型:NPN
封装类型:SOT-23
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
增益带宽积(fT):100MHz
电流增益(hFE):110至800(根据等级不同)
工作温度范围:-55°C至+150°C
BAS70S具备优异的高频响应特性,适合用于高频开关和信号放大应用。其SOT-23封装体积小,便于在高密度电路中使用。两个晶体管在同一个封装内共享热环境,有利于匹配和温度稳定性。BAS70S的电流增益范围较宽,可满足不同应用场景对增益的需求。该器件具有良好的线性度和低噪声性能,适合用于模拟信号处理。此外,BAS70S的开关速度快,能够有效提高电路的响应能力。在实际应用中,可以通过偏置电路优化其工作点,以获得最佳性能。
BAS70S常用于高频放大器、数字开关电路、缓冲器和逻辑电平转换电路。它在射频(RF)前端模块中用于信号放大和混频。此外,BAS70S也用于音频放大器的前置级、电压调节电路以及LED驱动电路。在工业控制和自动化系统中,BAS70S可用于传感器信号放大和接口电路设计。
BC847S、2N3904、BC547、MMBT3904、2N2222