BAS70S-AU 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的双通用硅开关二极管芯片,主要用于高频信号切换和保护电路中。该器件采用小型表面贴装封装(SOT-323),适用于对空间和功耗有严格要求的便携式电子产品和工业设备。BAS70S-AU 具备低电容、低正向压降和快速恢复时间的特性,使其在高频应用中表现出色。
类型:开关二极管
配置:双二极管
材料:硅(Si)
最大重复峰值反向电压:100 V
最大平均整流电流:100 mA
正向压降(IF=10mA):1.25 V(最大)
反向漏电流(VR=75V):100 nA(最大)
结温范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-323
安装类型:表面贴装
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
BAS70S-AU 的主要特性之一是其低电容设计,典型值为 2 pF,这使得该器件非常适合用于高频信号路径中的开关和保护应用。此外,其快速恢复时间(典型值为 4 ns)保证了在高速切换时的高效能表现。
另一个显著特点是其低正向压降,即使在小电流条件下也能保持较高的能效。这对电池供电设备尤为重要,因为低功耗设计可以延长设备的使用寿命。
该器件的双二极管结构设计使得它在电路中可以同时处理两个信号路径,节省了 PCB 空间并简化了电路设计。此外,BAS70S-AU 的 SOT-323 封装形式具备良好的热稳定性和机械强度,适合各种严苛环境下的应用。
由于其高反向电压能力(100V)和良好的温度特性,BAS70S-AU 可以在多种电压等级的电路中使用,提供稳定可靠的开关性能。
BAS70S-AU 常用于无线通信设备中的射频信号切换、保护电路以及逻辑隔离电路中。在移动电话、无线局域网(WLAN)模块、蓝牙设备等便携式产品中,该器件能够有效地处理高频信号并减少功耗。
在工业控制系统中,BAS70S-AU 可用于传感器信号路径的切换和保护,确保信号的稳定性和完整性。此外,在电源管理系统和电池充电电路中,该二极管也可用于防止电流倒灌和提供反向保护。
其他典型应用包括:高频振荡器、检波电路、电压钳位电路、自动测试设备(ATE)和测量仪器中的信号路径控制。
BAS70-04, BAS70, 1N4148, 1N4448