类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双二极管（共阴极或独立）
　　最大重复反向电压（VRRM）：70 V
　　最大直流反向电压（VR）：70 V
　　最大平均整流电流（IO）：200 mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500 mA
　　正向电压（VF）：典型值1.0 V @ 10 mA, 最大1.2 V @ 10 mA
　　反向漏电流（IR）：最大5 μA @ 70 V, 25°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值4 ns
　　工作结温范围（TJ）：-65 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-65 °C 至 +150 °C
　　封装类型：SOT-23 (TO-236AB)

BAS70-TP的核心优势在于其采用肖特基势垒技术所实现的低正向导通压降与极短的反向恢复时间，这使其在高频开关应用中表现出色。传统PN结二极管在导通时会产生约0.7V以上的压降，并且存在较长的反向恢复时间，导致功耗增加和开关损耗上升，尤其在高频环境下更为明显。而BAS70-TP的正向压降典型值仅为1.0V，在小电流工作条件下可显著降低能量损耗，提高系统效率。更重要的是，其反向恢复时间（trr）典型值为4ns，远低于普通整流二极管，这意味着它可以在极短时间内完成从导通到截止的状态切换，非常适合用于高速数字信号处理、脉冲整流和高频斩波电路。
　　BAS70-TP内部集成了两个独立的肖特基二极管，这种双二极管结构提供了更高的设计灵活性，可用于构建共阴极配置以实现双路信号钳位或电压保护，也可分别用于不同的功能模块中，如I/O端口保护与电源轨监控。该器件的SOT-23封装体积小巧，仅占PCB极少空间，同时具备良好的散热性能，适合高密度布局的现代电子产品。其工作结温范围宽达-65°C至+150°C，确保在极端环境温度下依然稳定运行，适用于汽车电子、工业控制系统等对可靠性要求较高的领域。
　　此外，BAS70-TP具有较低的寄生电容，有助于减少高频信号传输过程中的失真和串扰，因此常被用于高速数据线的ESD保护和瞬态电压抑制。其反向漏电流在常温下不超过5μA，在70V反向电压下仍能保持良好阻断能力，避免不必要的静态功耗。尽管肖特基二极管普遍存在的问题是反向漏电较PN结大且耐压相对较低，但BAS70-TP在70V额定电压范围内实现了性能与可靠性的平衡。综合来看，BAS70-TP是一款高性能、高集成度的表面贴装二极管解决方案，特别适用于需要快速响应、低功耗和小尺寸的应用场合。

BAS70-TP广泛应用于多种电子系统中，尤其适合对空间和效率有严格要求的设计。常见应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于电池供电路径的防反接保护或辅助电源的电压钳位。在数字电路接口中，BAS70-TP常被用作I2C、SPI、UART等低速通信总线的静电放电（ESD）防护元件，利用其快速响应能力和低电容特性来吸收瞬态高压脉冲，防止敏感IC受损。此外，在ADC输入前端或多路复用信号路径中，BAS70-TP可作为过压保护二极管，将输入电压限制在安全范围内，避免超出参考电压导致损坏。
　　在开关电源和DC-DC转换器中，BAS70-TP可用于次级侧的小信号整流或反馈回路中的电压采样，因其快速恢复特性可减少交叉导通损耗，提升整体转换效率。在工业自动化设备中，该器件可用于传感器信号调理电路中的噪声抑制与瞬态抑制，保障信号完整性。通信设备如路由器、交换机的接口保护电路也常采用BAS70-TP进行线路级防护。另外，由于其支持自动贴片工艺且为卷带包装（TP），非常适合大规模SMT生产线使用，提升了制造效率和一致性。总之，BAS70-TP凭借其小型化、高性能和高可靠性的特点，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

BAS70W-7-F
　　RB751S-60
　　MBSS340T1G
　　DMK2801L
　　BAS70-04