类型：双串联肖特基二极管
　　封装/包装：SOD-323（SC-76）
　　配置：双串联
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流阻断电压（VR）：70V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500mA
　　正向压降（VF）：典型值1.0V（在10mA时），最大1.25V（在10mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大5μA（在70V、25°C时）
　　结温（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　电容（CT）：典型值4pF（在4V、1MHz条件下）
　　反向恢复时间（trr）：典型值4ns

BAS70-7的核心特性之一是其高速开关性能，这主要得益于其肖特基势垒结构与优化的半导体工艺设计。该器件的反向恢复时间（trr）典型值仅为4ns，远低于传统PN结二极管，使其非常适合用于高频信号整流、高速开关电源以及需要快速响应的数字电路中。由于其极短的反向恢复时间，在开关过程中几乎不会产生明显的反向恢复电荷，从而减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统效率和稳定性。
　　另一个关键特性是其低正向导通压降。尽管作为肖特基二极管，其正向压降略高于单个标准肖特基二极管（因为是两个串联），但在10mA工作电流下仍可控制在1.0V左右，最大不超过1.25V。这一特性使得它在低电压、低功耗应用中表现出色，尤其适用于电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与信号处理模块。
　　BAS70-7还具备较低的结电容（典型值4pF @ 4V, 1MHz），这对于射频（RF）和高速数据线路至关重要。低电容意味着对高频信号的衰减更小，能够有效减少信号失真，因此常被用于USB、HDMI、LVDS等高速接口的静电放电（ESD）保护和信号箝位电路中。此外，其SOD-323小型封装不仅节省PCB空间，而且具有良好的热传导性能，能够在紧凑布局中维持稳定工作。
　　该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其具备出色的环境适应能力，可在高温或低温工业环境下可靠运行。同时，其反向漏电流在常温下不超过5μA，在高温条件下也保持在可控范围内，避免了因漏电增加而导致的功耗上升问题。整体而言，BAS70-7凭借其高速、低损耗、小体积和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的分立器件之一。

BAS70-7广泛应用于各类消费类电子、通信设备和工业控制系统中。一个典型的应用是在电源轨之间的电压箝位和反向极性保护电路中，例如当多个电源域共存时，利用其低正向压降和快速响应特性，防止过高电压耦合到敏感引脚上，从而保护后级IC免受损坏。此外，它常用于电池供电系统的电源切换路径中，实现自动电源选择功能，比如在主电源断开时无缝切换至备用电池。
　　在高速数字接口方面，BAS70-7因其低电容和快速响应能力，被广泛用作USB、SD卡、I2C、SPI等总线的信号保护元件。它可以有效地将瞬态过电压（如ESD事件）泄放到地，同时不影响正常信号传输质量。特别是在便携式设备中，面对频繁插拔带来的静电冲击，该器件能提供可靠的防护，延长产品寿命。
　　另一个重要应用场景是射频前端电路中的直流偏置隔离与信号检波。由于其高频特性优良，BAS70-7可用于RF信号路径中的解调或包络检测电路，配合其他无源元件完成简单的无线接收功能。此外，在开关模式电源（SMPS）中，虽然不作为主整流元件使用，但可辅助实现反馈回路中的电平移位或误差信号调理。
　　工业控制和汽车电子领域也大量采用此类高速二极管，用于传感器信号调理、逻辑电平转换以及继电器驱动电路中的续流保护。即使在恶劣电磁环境中，BAS70-7也能保持稳定工作，满足严苛的可靠性要求。综上所述，BAS70-7是一款多功能、高性能的通用高速二极管，适用于几乎所有需要快速响应和低功耗表现的模拟与数字混合电路中。

[
　　 "BAS70-04W",
　　 "BAS70-05",
　　 "BAT54C",
　　 "RB751S-40",
　　 "SMS7621"
　　]