时间：2025/12/26 8:27:20
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BAS70-06-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，采用双阳极共阴极配置（Dual Anode Common Cathode Configuration），广泛应用于信号处理、电压钳位、ESD保护以及高速开关电路中。该器件基于硅肖特基技术制造，具有低正向压降和快速反向恢复时间的特点，非常适合在高频和低电压环境中工作。其封装形式为SOT-23（也称SOT23-6），是一种小型化、轻薄化的六引脚塑料封装，适合高密度PCB布局。BAS70-06-7-F的“-7-F”后缀通常表示卷带包装（tape and reel）并符合RoHS环保标准，适用于自动化贴片生产线。由于其优异的开关性能和可靠性，这款器件常被用于消费类电子、通信设备、便携式电源管理模块以及接口电平转换电路中。
类型：双阳极共阴极肖特基二极管
配置：双二极管共阴
最大重复峰值反向电压（VRRM）：70V
最大直流阻断电压（VR）：70V
最大正向平均电流（IF(AV)）：250mA
最大峰值脉冲电流（IFSM）：1.25A
最大正向电压（VF）：1.1V @ IF = 10mA
反向漏电流（IR）：5μA @ VR = 70V
反向恢复时间（trr）：< 4ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装/包装：SOT-23-6（SC-88A）
安装类型：表面贴装（SMD）
BAS70-06-7-F的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构，这使得它相较于传统的PN结二极管具备更低的正向导通压降和更快的开关响应速度。在典型工作条件下，当正向电流为10mA时，其正向压降仅为约1.1V，显著低于普通硅二极管的0.7V单个压降水平——虽然看似更高，但需注意这是两个串联或独立通道的总压降考量，在双通道同时导通的应用中仍能保持高效能。更重要的是，由于肖特基二极管是非少数载流子器件，不存在少子存储效应，因此其反向恢复时间极短，通常小于4纳秒，能够在高频信号整流和瞬态响应要求高的场合下稳定运行。
该器件的双阳极共阴极结构允许两个阳极端口共享一个公共阴极，这种设计特别适用于双路信号钳位、电平移位或输入保护电路。例如，在I/O端口保护中，两个阳极可分别连接不同的信号线，而公共阴极接地或接电源，实现对负向或正向过冲电压的有效抑制。此外，这种结构还能用于构建简单的“或”逻辑供电系统，如双电源冗余切换中的防倒灌应用。
BAS70-06-7-F具有良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），使其可在严苛环境条件下可靠运行。其SOT-23-6封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.9mm x 1.6mm x 1.1mm），还具备优良的散热性能和机械强度，支持回流焊工艺，兼容现代自动化生产流程。器件符合RoHS指令，无铅且绿色环保，满足工业级与消费类产品的环保要求。此外，其较低的寄生电容（典型值约为8pF）有助于减少高频信号失真，提升整体系统带宽表现。
BAS70-06-7-F因其高速开关特性与紧凑封装，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电池供电路径管理、充电接口的ESD防护以及LCD背光驱动电路中的电压钳位。在数字通信接口领域，该器件可用于USB、I2C、SPI等总线线路的瞬态电压抑制和电平整形，防止因静电放电或信号反射引起的损坏。
在电源管理系统中，BAS70-06-7-F可用于低压差稳压器（LDO）输出端的反向电流阻断，或作为DC-DC转换器中的辅助整流元件。其双二极管结构也适用于模拟多路复用器前端的输入保护，确保在信号源切换过程中不会发生交叉导通或电压倒灌现象。
此外，在工业控制与传感器信号调理电路中，该器件可用于桥式传感器的过压保护、运算放大器输入端的限幅电路，以及ADC前端的信号钳位网络。由于其快速响应能力，也可用于高频脉冲检测电路或雷达接收机中的射频检波环节。总之，凡是需要小型化、高响应速度和可靠保护功能的场景，BAS70-06-7-F都是一个理想选择。
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"BAS70-06W-7-F",
"BAS70-06",
"MMBD7006",
"DMCA7006U",
"XC7006A",
"SZBAS70-06"
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