BAS70-05,235 是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的双通道双极型晶体管(BJT)阵列器件。该器件由两个独立的NPN晶体管组成,具有良好的匹配特性,适用于多种放大和开关应用。该器件采用SOT23-6封装形式,适用于表面贴装技术,广泛应用于便携式电子设备、工业控制和通信系统。
晶体管类型:NPN 双极型晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):100V
集电极-基极电压(VCBO):100V
发射极-基极电压(VEBO):5V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
电流增益(hFE):110 至 800(根据不同等级)
过渡频率(fT):100MHz
高电流增益稳定性:
BAS70-05,235 的两个NPN晶体管具有良好的电流增益匹配特性,确保在放大电路中提供稳定的增益表现。这使得该器件特别适合用于需要高精度匹配的差分放大器和推挽放大器设计。
优异的频率响应:
该晶体管的过渡频率(fT)高达100MHz,使其能够在高频应用中保持良好的性能,适用于射频放大、信号处理以及高速开关电路。
低饱和压降:
BAS70-05,235 具有较低的集电极-发射极饱和压降(VCE(sat)),有助于减少功率损耗并提高开关效率,适用于电池供电设备和低功耗系统。
紧凑的SOT23-6封装:
该器件采用小型SOT23-6封装,节省PCB空间,适用于高密度电路设计。同时,其表面贴装封装形式便于自动化生产和高可靠性焊接。
差分放大器设计:
由于两个晶体管之间的高度匹配特性,BAS70-05,235 常用于构建高精度差分放大器,广泛应用于运算放大器输入级和传感器信号调理电路。
推挽放大电路:
该器件的双晶体管结构非常适合用于构建推挽式功率放大器,常见于音频放大器输出级和驱动电路。
高频信号处理:
BAS70-05,235 的高频响应特性使其适用于射频信号放大、混频器和振荡器电路,特别是在无线通信模块中具有广泛应用。
数字开关电路:
该器件可用于高速开关应用,如逻辑门驱动、继电器控制和LED驱动电路,适用于工业自动化和消费电子领域。
BAS70-05W,115
BAS70-05LT1G
BAS70-05,315