时间：2025/12/26 3:45:39
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BAS70-04-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，采用SOT-363（SC-88）小型封装。该器件集成了四个独立的肖特基二极管，连接方式为共阴极配置，即所有二极管的阴极在内部连接在一起，并通过一个公共引脚引出。这种结构特别适用于多通道信号整流、电压钳位、ESD保护以及逻辑电平转换等应用场合。由于其采用了肖特基工艺，BAS70-04-7-F具有较低的正向导通压降和快速的反向恢复时间，能够在高频工作条件下表现出优异的开关性能。该器件的工作温度范围通常为-55°C至+150°C，符合工业级和汽车级应用的要求。此外，BAS70-04-7-F符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于自动贴片生产线，广泛应用于便携式电子设备、通信模块、消费类电子产品及电源管理系统中。
类型：肖特基势垒二极管阵列
配置：共阴极
二极管数量：4
最大重复反向电压（VRRM）：70V
最大直流阻断电压（VR）：70V
峰值正向浪涌电流（IFSM）：300mA
平均整流电流（IO）：200mA
正向电压（VF）：1.1V @ 10mA
反向漏电流（IR）：50nA @ 70V
反向恢复时间（trr）：4ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装/包装：SOT-363（SC-88）
安装类型：表面贴装（SMD）
BAS70-04-7-F的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术所带来的低正向压降与超快开关速度。肖特基二极管不同于传统的PN结二极管，它利用金属与半导体之间的势垒形成单向导电性，因此在正向导通时仅需较低的电压即可实现电流导通，典型值在1.1V左右（测试条件为10mA），显著低于普通硅二极管的0.7V以上压降叠加后的效果，尤其适合对功耗敏感的应用场景。更关键的是，由于肖特基结构中几乎不存在少数载流子存储效应，其反向恢复时间极短，典型值仅为4ns，这使得该器件在高频开关电路中能有效减少开关损耗和电磁干扰，提升系统效率。
该器件将四个独立的肖特基二极管集成在一个微型SOT-363封装内，实现共阴极连接方式，非常适合用于多路信号的并行处理，例如多个I/O口的瞬态电压抑制（TVS）、ESD防护或电源轨钳位设计。在数字逻辑接口中，它可以用来防止输入信号超过电源电压而损坏后续IC；在模拟信号路径中，则可用于限幅和过压保护。此外，由于其高集成度，能够大幅节省PCB空间，提高布板密度，特别适用于智能手机、可穿戴设备、无线传感器节点等紧凑型电子产品。
SOT-363封装不仅体积小（典型尺寸约为2.0mm x 1.25mm x 0.95mm），还具备良好的热稳定性和机械可靠性，支持回流焊工艺，适应现代自动化生产流程。器件的额定工作结温高达+150°C，可在严苛环境下稳定运行，满足工业控制和车载电子系统的可靠性需求。同时，BAS70-04-7-F通过了AEC-Q101车规认证（具体以厂商最新资料为准），增强了其在汽车电子中的适用性。整体而言，这款器件结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代电子系统中理想的多通道保护与整流解决方案。
BAS70-04-7-F广泛应用于需要多通道信号保护、电平转换和高频整流的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的I/O端口ESD保护，如智能手机、平板电脑和智能手表的数据线防护；在通信接口（如USB、I2C、SPI、UART）中用于防止电压过冲导致主控芯片损坏。此外，该器件也常被用作模拟前端的输入限幅器，确保敏感放大器或ADC输入不会因意外高压而失效。在电源管理领域，可用于低压电源轨的反向电流阻断和电压钳位，提升系统安全性。其高速特性使其适用于高频整流电路，如射频检波或脉冲信号处理。由于其符合汽车级标准，也被广泛应用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口和车身控制模块中。另外，在工业自动化设备中，作为PLC模块或多通道数据采集系统的输入保护元件，提供可靠的过压和瞬态抑制功能。
BAS70-04W-7-F
BAS70-04-7
MMBD7004T1G
DMG2004UW-7
