BAS70 T/R 时间：2025/8/15 0:35:46 阅读：3

BAS70 T/R 是一款广泛应用于射频（RF）和高频电路中的小信号肖特基二极管。该器件由安森美半导体（ON Semiconductor）生产，采用SOT-23表面贴装封装，适用于高速开关、检波、混频和射频信号控制等应用。BAS70 T/R具有低正向压降、快速恢复时间和高可靠性等特点，是许多高频电子系统中的关键组件。

参数

类型：肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压：70V
　　最大正向电流：100mA
　　正向电压（IF=10mA时）：典型值0.32V
　　反向漏电流（VR=70V时）：最大值100nA
　　恢复时间：小于2ns
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

BAS70 T/R的核心特性之一是其作为肖特基二极管所具备的低正向电压降，这使得它在低电压、高效率应用中表现优异。其快速恢复时间（小于2纳秒）使其非常适合用于高频开关电路，如射频混频器和检波器。此外，该器件的反向漏电流在额定工作电压下保持在极低水平，确保了在高阻断电压下的稳定性。
　　另一个重要特性是其封装形式——SOT-23是一种小型表面贴装封装，便于自动化生产和节省PCB空间，适用于紧凑型电子设备设计。BAS70 T/R还具备良好的热稳定性和机械稳定性，能够在广泛的温度范围内可靠运行。
　　该器件的高可靠性使其在工业、汽车和通信设备中得到广泛应用。例如，在射频前端模块中，它可以用于天线切换或信号路径控制。在数字通信系统中，BAS70 T/R可用于高速数据传输的整流和检波电路。

应用

BAS70 T/R的应用领域包括但不限于：射频接收器和发射器中的混频器和检波器、无线通信设备中的信号路径控制、自动频率控制（AFC）电路、电压倍增器、高速开关电路以及便携式电子设备中的电源管理电路。此外，该器件还常用于测试与测量设备中的高频信号处理模块，以及汽车电子系统中的射频识别（RFID）读写器等应用场景。