时间：2025/9/15 3:29:38
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BAS416,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的双极型小信号晶体管，属于NPN型晶体管。该器件专为高频应用设计，广泛用于射频（RF）放大器、混频器、振荡器等高频电路中。BAS416,115 采用SOT-23（SC-59）封装，具备良好的高频响应和低噪声特性，适用于无线通信设备、消费电子、工业控制等多种应用领域。
类型：NPN型晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
最大集电极电流（IC）：100 mA
最大功率耗散（PD）：300 mW
增益带宽积（fT）：250 MHz
电流增益（hFE）：110 - 800（根据档位不同）
封装类型：SOT-23（SC-59）
BAS416,115 具备出色的高频性能，适用于射频和中频放大电路。
其电流增益范围较宽，可适应不同的电路设计需求，提供良好的信号放大能力。
该晶体管的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。
低噪声系数使其在低噪声放大器（LNA）中表现出色，能够有效提升接收系统的灵敏度。
此外，BAS416,115 还具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工作环境较为苛刻的场合。
该晶体管主要用于射频前端模块，如无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）、混频器和振荡器。
也可用于音频和视频放大电路，尤其是在需要高频响应的模拟电路中。
此外，BAS416,115 还常见于消费类电子产品中的传感器信号放大、数据采集系统以及开关电路等应用。
由于其优异的高频特性，该器件在无线基础设施、工业控制、汽车电子和测试测量设备中也有广泛应用。
BC847系列, 2N3904, BFQ59, 2SC3355
