类型：NPN 双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　频率（fT）：100MHz
　　封装类型：TSOP
　　安装类型：表面贴装
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

BAS40W-43S 是一款双 NPN 晶体管器件，采用先进的制造工艺，具有出色的电气特性和稳定性。该器件的每个晶体管都具有相同的电气参数，可以在需要多个晶体管的电路中提供一致的性能表现。其主要特性包括：
　　1. **高频率响应**：该晶体管的过渡频率（fT）高达 100MHz，适合用于中高频信号放大和高速开关应用。
　　2. **低饱和压降**：在导通状态下，晶体管的集电极-发射极饱和压降较低，从而减少了功耗并提高了效率。
　　3. **高可靠性**：采用先进的硅外延工艺制造，确保了器件在极端温度和环境条件下的稳定运行。
　　4. **小型化封装**：TSOP 封装设计使得该器件非常适合高密度 PCB 布局，适用于便携式电子产品和紧凑型电子设备。
　　5. **温度稳定性好**：工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，使其在汽车电子、工业控制等严苛环境中表现出色。
　　6. **易于使用**：由于其标准的晶体管结构和通用参数，BAS40W-43S 可以轻松替代其他类似规格的晶体管，降低了设计复杂性。

BAS40W-43S 的应用范围非常广泛，主要包括：
　　1. **信号放大**：由于其高频率响应特性，该器件适用于音频放大、射频信号放大等场合。
　　2. **数字开关电路**：每个晶体管都可以作为独立的开关元件，用于控制 LED、继电器、小型电机等负载。
　　3. **逻辑电平转换**：在数字电路中，BAS40W-43S 可以用于不同电压电平之间的信号转换，提高系统的兼容性。
　　4. **驱动电路**：用于驱动小型继电器、蜂鸣器或其他低功率执行器。
　　5. **电源管理**：在低功耗设备中，可用于控制电源的通断或进行电压调节。
　　6. **汽车电子**：由于其宽工作温度范围和高可靠性，适用于汽车控制模块、传感器接口和照明系统等。
　　7. **工业自动化**：可用于工业控制系统中的信号处理、数据采集和执行机构控制。

BCX56-10, BC847BS, BC850BS, MMBT3904, 2N3904