BAS40T/R是一款常用的表面贴装硅二极管,由多个制造商(如NXP、ON Semiconductor等)生产。该器件基于PN结结构,具有较高的开关速度和较低的正向压降,适用于多种通用开关和整流应用。BAS40T/R采用SOT-23(TO-236)封装,体积小,适合在空间受限的电路中使用。该二极管广泛应用于电源管理、信号整流、电压钳位、极性保护等电路中。
类型:硅二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
最大正向整流电流(IF):100mA
峰值正向浪涌电流(IFSM):500mA
正向压降(VF)@ 100mA:最大1.25V
反向漏电流(IR)@ 100V:最大100nA
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23(TO-236)
BAS40T/R具有多项优良特性,适用于广泛的电子应用。
首先,其最大重复峰值反向电压为100V,能够在中高压应用中提供良好的反向阻断能力,适用于各种电源和整流电路。
其次,最大正向整流电流为100mA,虽然不是高功率器件,但在许多低功率开关和信号处理应用中表现良好。
该器件的正向压降在100mA时最大为1.25V,相对较低,有助于降低功耗并提高能效。
此外,BAS40T/R的反向漏电流在100V下最大为100nA,表现出良好的反向阻断性能,确保在高温或高电压条件下仍能稳定工作。
其SOT-23封装结构不仅节省空间,还便于自动化贴片生产和焊接,提高了制造效率和可靠性。
工作温度范围宽,可在-55°C至+150°C之间正常运行,适用于多种环境条件下的电子设备。
BAS40T/R适用于多种电子电路和系统中的开关和整流功能。
常见应用包括电源管理电路中的极性保护,防止因电源反接而损坏后续电路。
在DC-DC转换器和AC-DC整流电路中,该二极管可用于低电流整流和续流功能,确保能量有效传输。
由于其较高的开关速度,BAS40T/R也适用于数字电路中的信号隔离和逻辑电平转换。
此外,该器件可用于电压钳位电路,以保护敏感的电子元件免受过电压或静电放电(ESD)的损害。
在通信设备、工业控制系统、消费电子产品和汽车电子中均有广泛应用。
BAS40-04W, BAS40-06W, 1N4148WS, BAT54A