BAS40SW 是一款由英飞凌(Infineon)生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET,采用小型 SOT-23 封装,适用于需要低导通电阻和高速开关特性的应用。该器件常用于负载开关、电源管理和信号切换等场合。由于其紧凑的封装和优良的性能,BAS40SW 在便携式电子设备和汽车电子系统中得到了广泛应用。
类型:MOSFET(N 沟道双通道)
封装:SOT-23
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):100mA
导通电阻(RDS(on)):最大 4Ω(在 VGS=10V 时)
功率耗散:300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
BAS40SW 的核心特性之一是其双通道 N 沟道 MOSFET 设计,使其能够在单个封装中实现两个独立的开关功能,从而节省 PCB 空间并提高电路集成度。该器件的低导通电阻(RDS(on))确保了在导通状态下的低功率损耗,提高了系统的整体效率。
此外,BAS40SW 具有快速开关能力,适用于高频应用,有助于减小外部滤波元件的尺寸。其 SOT-23 小型封装适合高密度 PCB 设计,特别适用于便携式设备和空间受限的应用场景。
该器件还具备良好的热稳定性和可靠性,可在宽温度范围内稳定工作,适用于工业和汽车电子系统中常见的严苛环境条件。
BAS40SW 适用于多种电子系统,特别是在需要小型化和高效能的场合。常见应用包括电池供电设备中的负载开关控制、电源管理系统中的电流隔离、信号路由切换以及 LED 驱动电路中的调光控制。
此外,BAS40SW 也广泛应用于汽车电子模块,如车门控制单元、照明系统和传感器接口电路中。由于其优异的热稳定性和封装紧凑性,该器件也适用于工业自动化设备中的小型电机驱动和继电器替代方案。
SI2302DS、2N7002E、FDV301N、BSS138