时间：2025/8/14 15:46:53
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BAS40S R1 是一款由罗姆（Rohm）公司生产的N型沟道MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效率、低功耗的电子设备中。该晶体管采用了先进的硅栅极技术，具有较高的开关速度和较低的导通电阻。它适用于多种电子电路设计，包括逻辑电路、电源管理和信号处理等领域。BAS40S R1封装在SOT-23小型封装中，便于在各种电路板上安装和使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：50V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100mA
功耗（PD）：300mW
导通电阻（RDS(on)）：5Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：2.3nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
BAS40S R1晶体管具有多项显著特性，包括低导通电阻，有助于减少导通损耗，提高电路效率；高栅源电压耐受能力，确保在高电压应用中的稳定性；小封装设计，节省空间并方便集成到紧凑的电路设计中。此外，其高开关速度使其适用于高频应用，如DC-DC转换器和LED驱动器。晶体管还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在广泛的温度范围内保持稳定的工作性能。
该器件采用了先进的硅栅极技术，提高了整体性能和可靠性。其低栅极电荷特性有助于减少开关损耗，从而提高能效。另外，BAS40S R1的封装设计提供了良好的散热性能，使其在高电流应用中依然能够保持稳定运行。
BAS40S R1广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、LED驱动器、DC-DC转换器、负载开关、逻辑电平转换以及电池供电设备等。其高效率和小封装特性使其成为便携式电子产品、汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品的理想选择。在电源管理应用中，它可以用于实现高效的电压调节和能量转换。在LED驱动电路中，BAS40S R1能够提供稳定的电流控制，确保LED的亮度均匀且功耗低。此外，该晶体管还可用于实现快速的开关操作，适用于需要高频率切换的电路设计。
2N7002, BSS138, 2N3904
