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BAS40Q-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 11:42:19 查看 阅读:12

BAS40Q-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,专为高频开关应用设计。该器件采用SOD-123FL小型封装,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适用于高效率电源转换、信号整流及保护电路等场景。其额定工作温度范围宽,能够在-55°C至+150°C的环境下稳定运行,适合汽车电子、工业控制以及便携式消费类电子产品中的严苛条件使用。BAS40Q-7-F符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,确保在高温、振动和其他恶劣工况下的长期稳定性。该二极管的结构基于铂势垒技术,进一步优化了开关性能与漏电流之间的平衡,使其在低电压应用中表现出色。由于其小型化封装和高性能特性,BAS40Q-7-F广泛用于DC-DC转换器、电源管理单元、ESD保护、极性反转保护以及高频整流电路中。此外,该器件无铅且符合RoHS环保要求,支持自动化贴片生产流程,便于现代电子制造中的大规模应用。

参数

产品类型:肖特基二极管
  配置:单路
  是否无铅:无铅
  是否含Rohs:符合
  额定电压:40V
  平均整流电流:200mA
  正向电压:最大625mV(在200mA条件下)
  反向漏电流:最大5μA(在25°C时)
  反向击穿电压:最小45V
  峰值脉冲电流:500mA
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装/外壳:SOD-123FL

特性

BAS40Q-7-F的核心特性之一是其优异的开关速度和低功耗表现。作为一款肖特基势垒二极管,它利用金属-半导体结而非传统的PN结,从而显著降低了正向导通压降(VF),通常在200mA电流下仅为625mV,这有助于减少功率损耗并提升系统整体效率。该特性特别适用于低压大电流的DC-DC转换器中,例如在电池供电设备或节能型电源模块中,能够有效延长续航时间或降低发热。
  其次,该器件具备非常快的反向恢复时间(trr),典型值小于1ns,这意味着在高频开关操作中几乎不会产生明显的反向恢复电荷,避免了由此引起的开关损耗和电磁干扰问题。因此,BAS40Q-7-F非常适合应用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构中,如同步整流、自举电路或高频整流桥。
  另一个关键优势是其高可靠性和环境适应能力。该器件通过了AEC-Q101认证,表明其满足汽车电子元器件的严格质量与耐久性要求,可在极端温度、湿度和机械应力条件下保持性能稳定。同时,其工作结温可达+150°C,允许在紧凑布局或散热受限的设计中安全运行。
  封装方面,SOD-123FL是一种超小型表面贴装封装,体积仅为约2.7mm × 1.6mm × 1.1mm,节省PCB空间的同时支持高密度组装。这种封装还具有良好的热传导性能和电气连接可靠性,适合回流焊工艺。此外,器件不含铅且符合RoHS指令,符合现代绿色电子产品的环保趋势。综合来看,BAS40Q-7-F在性能、尺寸、可靠性和合规性之间实现了良好平衡,是众多高端电子系统中理想的通用型肖特基二极管选择。

应用

BAS40Q-7-F广泛应用于多个电子领域,尤其在对空间、效率和可靠性有较高要求的系统中表现突出。在汽车电子系统中,它常被用于车载信息娱乐电源、LED照明驱动、传感器接口保护以及车身控制模块中的反向电压保护和瞬态抑制电路。得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力,能够在发动机舱或外部环境中长期稳定运行。
  在工业控制设备中,该二极管可用于PLC输入输出保护、继电器飞轮二极管、编码器信号整流以及隔离电源的辅助绕组整流。其快速响应能力和低漏电流特性有助于提高系统的抗干扰能力和能效水平。
  在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,BAS40Q-7-F多用于电池充电路径管理、USB端口的极性保护、DC-DC升压或降压转换器中的续流二极管。其小尺寸封装非常适合高集成度主板设计,而低VF则有助于减少待机功耗。
  此外,在通信设备、网络路由器和物联网节点中,该器件可用于电源轨间的电压隔离、信号钳位以及ESD防护。总体而言,任何需要高效、快速、小型化整流或保护功能的应用场景均可考虑采用BAS40Q-7-F作为理想解决方案。

替代型号

BAT54C, PMEG2010EH, RB520S-40, SS14

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BAS40Q-7-F参数

  • 现有数量10,026现货
  • 价格1 : ¥2.70000剪切带(CT)3,000 : ¥0.47461卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)40 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1 V @ 40 mA
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)5 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 nA @ 30 V
  • 不同?Vr、F 时电容5pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 125°C