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BAS40LT1G 发布时间 时间：2022/11/30 11:24:23 查看 阅读：501

    最小反向电压VR(V):40

    最大二极管电容CT@V(Max)( pF):5

    最大二极管电容CT@VV:1

  

目录

概述

    最小反向电压VR(V):40

    最大二极管电容CT@V(Max)( pF):5

    最大二极管电容CT@VV:1

    正向电压VF最大值(V):0.500

    最大反向漏电流IR (Max)( nA):1000

    最大反向漏电流IR对应的电压VR(V):25

    类型:单二极管

    封装/温度(℃):SOT-23/-55~150


资料

厂商
ON Semiconductor

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BAS40LT1G产品

BAS40LT1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)（最大）40V
  • 电流 - 平均整流 (Io)120mA（DC）
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）1V @ 40mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 25V
  • 电容@ Vr, F5pF @ 1V，1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3（TO-236）
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称BAS40LT1GOSDKR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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