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BAS40LT1G 时间：2022/11/30 11:24:23 阅读：635

最小反向电压VR(V):40

最大二极管电容CT@V(Max)( pF):5

最大二极管电容CT@VV:1

概述

最小反向电压VR(V):40

最大二极管电容CT@V(Max)( pF):5

最大二极管电容CT@VV:1

正向电压VF最大值(V):0.500

最大反向漏电流IR (Max)( nA):1000

最大反向漏电流IR对应的电压VR(V):25

类型:单二极管

封装/温度(℃):SOT-23/-55~150

资料

厂商
ON Semiconductor

BAS40LT1G推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

BAS40LT1G
深圳闻舟科技有限公司
12000
ONSemi/安森美
22+/SOT23

BAS40LT1G
广东星河微电子有限公司
6000
ON
-/-

BAS40LT1G
深圳市讯运电子有限公司
30000
ON
08+/SOT23

BAS40LT1G
深圳市信科微科技有限公司
36502
onsemi(安森美)
24+/SOT23

BAS40LT1G
深圳闻舟科技有限公司
12000
ONSemi/安森美
22+/SOT23

BAS40LT1G
深圳市华芯源电子有限公司
3000
ON
22+PB/SOT23

BAS40LT1G
深圳市积美福电子科技有限公司
15000
ONSEMI
22+/SOT23

BAS40LT1G
深圳市科昂电子集团有限公司
50000
ON/安森美
25+/-

BAS40LT1G
深圳智睿捷科技有限公司
15000
LRC/ON
19+/SOT23

BAS40LT1G
深圳市思佳捷科技有限公司
15000
ON
25/-

BAS40LT1G
深圳市得捷芯城科技有限公司
6258
ON/安森美
23+/NA/

BAS40LT1G
深圳市中元伟业电子商行
60000
ON
24+/SOT23

BAS40LT1G
深圳市硅诺电子科技有限公司
1000982
OIV
25+/SOT23

BAS40LT1G
深圳市芯福林电子科技有限公司
975000
ON/安森美
SOT23/19+20+

BAS40LT1G
深圳市杰兴伟业电子有限公司
300000
onsemi(安森美)
23+/SOT23(TO236)

BAS40LT1G
深圳市科芯源微电子有限公司
65286
ON
21+/-

BAS40LT1G
斯耐尔（深圳）科技有限责任公
5663
ON/安森美
20+/SMD

BAS40LT1G
深圳市拓亿芯电子有限公司
15000
ON
23+/SOT23

BAS40LT1G
深圳市鸿源达电子有限公司
450
ON
09+/SOT23

BAS40LT1G
深圳市石芯电子有限公司
10000
ON
23+/N/A

BAS40LT1G资料更多>

型号
描述
品牌
阅览下载

BAS40LT1G
Diode Schottky 40V 120mA (DC) Surfac...
阅览

BAS40LT1G
SCHOTTKY BARRIER DIODES
ONSEMI [...
阅览下载

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IC词条百科

BAS40LT1G产品

BAS40LT1G参数

标准包装10
类别分离式半导体产品
家庭单二极管/整流器
系列-
二极管类型肖特基
电压 - (Vr)（最大）40V
电流 - 平均整流 (Io)120mA（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）1V @ 40mA
速度小信号 =
反向恢复时间(trr)-
电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 25V
电容@ Vr, F5pF @ 1V，1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3（TO-236）
包装Digi-Reel®
其它名称BAS40LT1GOSDKR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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