类型：双肖特基二极管（共阴极）
　　封装：SOT-363（SC-88）
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：500mV @ 100mA
　　最大反向漏电流（IR）：1μA @ 40V
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C

BAS40DW-04-TP的核心优势在于其基于肖特基势垒技术的低正向压降特性，这一特性源于金属-半导体结的物理机制，相较于传统的PN结二极管，能够显著降低导通状态下的能量损耗。在典型工作条件下，当正向电流为100mA时，其正向压降仅为500mV左右，这意味着在相同电流下，其功耗仅为传统硅二极管的一半甚至更低，这对于电池供电的移动设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，极低的反向恢复时间（仅4ns）使其具备卓越的高频开关性能，能够在高速开关电源、PWM控制电路和高频信号检波等应用中有效减少开关瞬态过程中的能量损失和噪声产生，提升系统整体响应速度和稳定性。该器件采用共阴极配置，两个二极管共享一个阴极端子，这种结构在双路同步整流、双通道信号钳位或双电源电压保护电路中非常实用，例如在USB接口的过压保护、音频信号的双向限幅以及DC-DC转换器的续流路径中均有广泛应用。SOT-363封装不仅体积小，节省PCB空间，而且具有良好的热传导性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产，提高组装效率。器件的工作结温范围宽达-55°C至+125°C，确保其在恶劣环境条件下仍能可靠运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的领域。此外，BAS40DW-04-TP具备良好的ESD耐受能力，增强了在实际使用中的鲁棒性，减少了因静电放电导致的早期失效风险。其电气参数经过严格筛选和测试，批次一致性好，有利于大规模生产的质量控制。
　　该器件还具备优异的反向漏电流特性，在40V反向电压下最大漏电流仅为1μA，这在高阻抗信号路径或待机功耗敏感的应用中至关重要，能够有效防止不必要的电流泄漏，保持信号完整性。由于肖特基二极管的反向击穿电压相对较低，设计时需注意避免在接近其额定电压的工况下长期工作，以确保长期可靠性。总体而言，BAS40DW-04-TP凭借其低功耗、高速度、小尺寸和高可靠性，成为现代电子系统中理想的双通道整流与保护解决方案。

BAS40DW-04-TP广泛应用于各类需要高效、紧凑型二极管解决方案的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电池充电管理电路中的防反接和电流隔离，或作为DC-DC升压/降压转换器中的续流二极管，利用其低正向压降提升电源转换效率。在接口保护方面，该器件可用于USB、HDMI、音频插孔等信号线的静电放电（ESD）防护和电压钳位，防止瞬态高压损坏后端敏感IC。在通信模块中，BAS40DW-04-TP可作为高频信号检波器或混频电路中的关键元件，得益于其快速开关特性，能够准确还原高频载波信号。在工业控制和自动化设备中，该器件适用于传感器信号调理电路中的电平箝位和噪声抑制，确保模拟信号的稳定传输。此外，在LED驱动电路中，可用于防止反向电压冲击，保护LED免受损坏。在电源管理单元（PMU）中，双通道共阴极结构可实现双路电源的优先选择（OR-ing）功能，例如在主备电源切换时自动导通电压较高的电源路径。其小型化封装也使其成为高密度印刷电路板（PCB）设计的理想选择，尤其是在空间受限的物联网（IoT）设备和微型传感器节点中。汽车电子应用中，如车载信息娱乐系统和车身控制模块，该器件可用于12V或24V电源系统的瞬态抑制和整流任务，满足AEC-Q101等车规级可靠性要求（尽管需确认具体型号是否通过认证）。总之，BAS40DW-04-TP凭借其多功能性和高集成度，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

BAS40DW-7-F
　　BAT54C-T1
　　RB751S-40
　　DMN2040U-7