类型：肖特基二极管
　　封装/外壳：SOD-323
　　正向电流（IF）：200mA
　　峰值重复反向电压（VRRM）：40V
　　直流反向电压（VR）：40V
　　正向压降（VF）：典型值0.35V @ 10mA，最大值0.55V @ 100mA
　　反向漏电流（IR）：最大值1μA @ 40V，25°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值4ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　储存温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散（Ptot）：200mW

BAS40-TP的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，从而显著降低正向导通压降。相比传统的PN结二极管，它在相同电流下产生的热量更少，提升了整体能效。其典型正向压降仅为0.35V左右（在10mA条件下），即使在100mA负载时也保持在0.55V以下，这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。此外，由于没有少数载流子存储效应，该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间典型值为4ns，可在高频开关电路中有效减少开关损耗，提高系统响应速度。
　　BAS40-TP的SOD-323封装仅有约2.7mm × 1.6mm × 1.1mm的尺寸，非常适合高密度PCB布局，尤其适用于空间受限的便携式设备。该封装还具备良好的散热性能，结合200mW的功率耗散能力，可在有限空间内实现稳定的热管理。器件的反向耐压达到40V，足以应对大多数低压直流电源系统的瞬态波动，包括USB供电、锂电池输出及DC-DC转换器输出端的应用。
　　该二极管在高温环境下的稳定性表现优异，最大结温可达+150°C，确保在恶劣工况下仍能可靠运行。同时，其反向漏电流控制在极低水平——在25°C时最大为1μA，在高温环境下增长相对缓慢，减少了静态功耗。这使得BAS40-TP不仅适用于常温环境，也能在工业级温度范围内稳定工作。此外，产品符合国际环保标准，不含铅和有害物质，支持回流焊工艺，便于大规模自动化生产，进一步增强了其在现代电子制造中的适用性。

BAS40-TP广泛应用于各类需要高效、快速整流的小信号和低功率电路中。常见用途包括电源极性反接保护电路，其中该二极管串联于电源输入路径，防止因错误连接导致后级电路损坏；在多个电源源切换场景中（如主电源与备用电池之间），BAS40-TP可用作“或逻辑”二极管，实现无缝电源切换，避免倒灌电流。此外，由于其快速响应特性，常用于高频整流电路，例如射频信号检波、PWM信号解调以及开关电源中的续流与箝位环节。
　　在消费类电子产品中，BAS40-TP被大量用于手机、蓝牙耳机、智能手表等设备的充电管理模块，作为防反接和防倒灌元件，保障锂离子电池的安全充放电。在DC-DC转换器设计中，它可用于同步整流替代方案或辅助绕组整流，提升轻载效率。另外，该器件也适用于传感器信号调理电路中的钳位保护，防止过压冲击损坏敏感IC。由于其小型封装和高可靠性，BAS40-TP还常见于汽车电子中的低功耗模块，如车载信息娱乐系统的外围接口保护、LED驱动电路中的隔离单元等。
　　工业控制领域中，该二极管可用于PLC数字I/O端口的信号整形与保护，抑制感应负载引起的反向电动势。通信设备中的数据线ESD保护和偏置电路中也有其身影。总之，凡是涉及低电压、小电流、高速开关或空间限制的应用场景，BAS40-TP都是一种经济且高效的解决方案。

BAS40-04WT1G, PMEG3010EH, PMEG3020ER, BAT54C, SK32