BAS40 R1 时间：2025/8/14 12:50:16 阅读：5

BAS40 R1 是一款常用的表面贴装硅基小信号肖特基势垒二极管（SBD），由ROHM Semiconductor生产。该器件采用小型SOD-523封装，具有快速开关特性、低正向压降和高可靠性，适用于高频开关电路、信号整流、电压钳位和保护电路等应用。BAS40 R1的额定正向电流为100 mA，反向峰值电压为40 V，具备良好的温度稳定性和较小的寄生电容，适合在便携式电子设备和通信系统中使用。

参数

类型：肖特基二极管
　　正向电流：100 mA
　　反向峰值电压：40 V
　　正向压降：最大0.3 V @ 10 mA
　　反向漏电流：最大100 nA @ 40 V
　　封装类型：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　结电容：约3 pF @ 0 V

特性

BAS40 R1的核心特性之一是其低正向压降（VF），通常在10 mA电流下仅为0.3 V，显著低于传统硅二极管，有助于降低功耗并提高能效。
　　其次，该器件具有快速开关能力，反向恢复时间（trr）极短，适合用于高频整流和高速开关电路中。
　　此外，BAS40 R1采用了小型SOD-523封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性与机械强度。
　　其反向漏电流（IR）在40 V下最大仅为100 nA，表现出良好的阻断能力，适合用于低功耗和高精度的信号处理电路中。
　　该二极管的工作温度范围宽，适用于工业级和消费类电子产品的严苛环境要求。
　　最后，由于其低寄生电容（约3 pF），BAS40 R1在射频（RF）和高速数字电路中也表现出色。

应用

BAS40 R1广泛应用于各种电子设备中，尤其是在需要快速开关和低功耗特性的场合。
　　常见的应用包括电源管理电路中的电压钳位和反向极性保护、高频整流电路、信号检波电路以及电感负载的续流二极管。
　　它也常用于电池供电设备中的低功耗保护电路，如便携式音频设备、智能手机和无线通信模块。
　　在射频前端电路中，BAS40 R1可用于信号检波和混频电路，提供良好的高频响应。
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载娱乐系统和LED照明驱动电路，满足车载环境对可靠性和温度稳定性的要求。