BAS32L,135是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的双极型小信号开关二极管。该器件采用双二极管封装设计,适用于高速开关和整流应用。其主要功能是用于信号处理、电压钳位和极性保护等场合。该器件采用SOT23封装形式,具有体积小、性能稳定、可靠性高等特点,广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制设备等。
类型:双二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
最大正向电流(IF):250mA
最大反向漏电流(IR):100nA
正向压降(VF):1.25V @ 100mA
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT23
BAS32L,135是一款高性能的双二极管器件,具备良好的开关特性和稳定的电气性能。其双二极管结构允许在单个封装中实现两个独立的开关功能,从而节省PCB空间并简化电路设计。
首先,该器件的最大重复峰值反向电压(VRRM)可达100V,能够承受较高的反向电压应力,适用于多种中高压开关应用。最大正向电流(IF)为250mA,足以满足大多数小信号开关和整流需求。
其次,BAS32L,135具有较低的正向压降(VF)为1.25V,在100mA电流下,这有助于降低功耗并提高能效。同时,其反向漏电流(IR)在额定条件下仅为100nA,确保在高温环境下仍能保持良好的反向阻断能力。
此外,该器件的工作温度范围宽达-55°C至150°C,适用于各种恶劣环境条件,表现出良好的热稳定性和可靠性。SOT23封装形式不仅体积小巧,便于表面贴装,而且具有良好的散热性能,确保器件在高负载条件下稳定运行。
综上所述,BAS32L,135凭借其高耐压、低功耗、紧凑封装和高可靠性,成为众多电子设计中的理想选择。
BAS32L,135广泛应用于多个领域,包括信号处理、电源管理、极性保护和电压钳位等电路中。在通信设备中,该器件可用于保护电路免受静电放电(ESD)和瞬态电压的损害。在工业控制系统中,它可用于隔离不同电路部分并实现快速开关操作。此外,BAS32L,135还可用于消费类电子产品中的电源转换和整流电路,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等,以提高能效和稳定性。
BAS316,115; BAS21-04; BAT54C