时间：2025/9/14 10:03:41
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BAS321,135 是由 Nexperia（原恩智浦半导体的小信号分立器件业务）生产的一款高速、小信号开关二极管。该器件采用先进的 HVH-CUT 工艺制造，具有低电容、快速开关特性和高可靠性，适用于高频信号处理和保护电路。该器件封装为 SOT23（三引脚小型晶体管封装），适合用于表面贴装工艺。
类型：硅高速开关二极管
配置：双共阴极
最大反向电压（VRM）：100 V
最大平均整流电流（Io）：100 mA
峰值反向电压（VRM）：100 V
最大正向电流（IF）：100 mA
最大正向压降（VF）：1.25 V @ 100 mA
最大反向漏电流（IR）：100 nA @ 100 V
最大反向恢复时间（trr）：4 ns
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT23
BAS321,135 具备多项高性能特性，首先是其高速开关能力，反向恢复时间 trr 仅为 4 ns，使其非常适合用于高频应用，如 RF 信号切换和高速整流。该器件的低正向压降（在 100 mA 时最大为 1.25 V）有助于减少功耗，提高能效。
此外，该器件的反向漏电流非常低，最大仅为 100 nA，在高温条件下仍能保持良好的稳定性，这使其适用于高精度模拟电路中的信号隔离和保护电路。其双共阴极结构允许两个独立的二极管共享一个公共阴极，有助于节省电路板空间并简化设计。
采用 SOT23 封装，该器件具有优异的机械稳定性和热性能，适用于自动化贴片工艺。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，确保在各种工业和汽车应用中的可靠性。
BAS321,135 主要用于以下应用场景：高速开关电路、RF 信号路径切换、电压钳位和保护电路、逻辑电平转换、数字和模拟电路中的隔离、信号检测电路、电源管理和电池供电设备中的低功耗设计。由于其高速特性和低电容，它在通信设备、消费电子产品和汽车电子系统中均有广泛应用。
BAS21,135; BAS70-04; 1N4148; BAR18; BB133
