最大峰值反向电压（VRM）：100 V
　　最大平均整流电流（Io）：200 mA
　　最大正向电压降（VF）：1.25 V @ 100 mA
　　最大反向漏电流（IR）：100 nA @ 75 V
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C

BAS316T1G具备高可靠性与紧凑型封装，适用于需要高效能和小尺寸的电路设计。其两个独立的二极管可以分别用于不同的电路功能，如信号隔离、电压箝位或反向电压保护。
　　该器件的高反向电压额定值（最高100V）使其适用于多种中高电压开关应用。此外，其低反向漏电流特性（最大100nA）确保了在高阻断状态下仍能保持电路的稳定性。
　　在正向工作时，BAS316T1G的正向电压降为1.25V，适用于大多数数字和模拟电路的开关控制。其最大平均整流电流为200mA，足以应对多数中等功率信号处理需求。
　　由于采用SOT-23封装，BAS316T1G非常适合表面贴装工艺（SMT），有助于提高生产效率和减少PCB空间占用。这种封装也具备良好的热性能，在正常工作条件下能够有效散热。
　　此外，BAS316T1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用，具有良好的环境适应性和长期稳定性。

BAS316T1G广泛应用于通信设备、工业控制系统、消费电子产品和汽车电子模块。其典型应用包括信号开关、电压箝位、反向极性保护、隔离电路、电源管理以及数字逻辑电路中的隔离二极管功能。
　　在通信设备中，BAS316T1G可用于保护敏感的射频（RF）前端电路，防止静电放电（ESD）或瞬态电压对系统造成损坏。在工业控制领域，该器件可用于隔离继电器线圈、保护PLC输入输出端口，以及实现多路信号切换。
　　在消费电子产品中，BAS316T1G常用于电池管理系统、充电电路保护和信号路径控制。例如，在多电源切换电路中，该器件可用于防止电流回流，确保系统安全运行。
　　此外，在汽车电子应用中，BAS316T1G适用于车身控制模块（BCM）、车载娱乐系统和仪表盘电子设备，提供可靠的电压箝位和信号隔离功能。

1N4148W-7-F, BAT54S, BAS316H