BAS28/G 时间：2025/12/27 21:49:26 阅读：15

BAS28/G 是一款由多家半导体制造商（如Infineon Technologies）生产的高速硅开关二极管，广泛应用于高频信号处理、电视和通信设备中的调谐与解调电路。该器件采用SOD-323（SC-76）小型表面贴装封装，适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。BAS28/G 的设计重点在于提供快速的开关响应时间与低电容特性，使其非常适合用于射频（RF）信号切换、限幅保护、电压钳位以及数字逻辑电路中的信号整形等场景。该二极管为N型掺杂硅基结构，具有良好的热稳定性和可靠性，在工业级温度范围内（-55°C 至 +150°C）均能保持稳定的电气性能。此外，BAS28/G 符合RoHS环保标准，并具备无铅（Pb-free）和绿色材料兼容性，适用于现代环保要求严格的电子产品制造流程中。由于其优异的高频响应能力，它常被用于电视调谐器、手机天线切换、CATV系统、FM收音机模块以及其他需要高效信号控制的消费类电子设备中。

参数

类型：开关二极管
　　材料：硅
　　最大反向电压（VRRM）：70V
　　峰值正向电流（IFSM）：400mA
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　反向漏电流（IR）：5μA（典型值，@ 70V, 25°C）
　　正向电压降（VF）：1.1V（@ 10mA）
　　反向恢复时间（trr）：4ns（最大值）
　　结电容（Cj）：1pF（@ 4V, 1MHz）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323 (SC-76)

特性

BAS28/G 具备出色的高频开关性能，这主要归功于其极短的反向恢复时间（trr 最大为4ns），这意味着该二极管能够在高频信号环境下迅速完成从导通状态到截止状态的转换，从而有效减少开关过程中的能量损耗和信号失真。这一特性使得它特别适用于射频信号路径中的高速切换应用，例如在多频段无线通信系统中实现天线或滤波器的选择性接入。同时，其低结电容（典型值仅为1pF @ 4V）显著降低了对高频信号的负载效应，避免了因寄生电容引起的信号衰减或相位偏移，这对于维持系统的频率响应一致性至关重要。
　　另一个关键优势是其良好的热稳定性与可靠性。BAS28/G 可在极端温度条件下（-55°C 至 +150°C）正常工作，确保在高温环境（如封闭式机顶盒内部或车载电子系统）中仍能保持长期运行的稳定性。此外，该器件具有较高的反向耐压能力（70V），可在瞬态过压情况下提供一定的保护作用，增强了整个电路系统的鲁棒性。SOD-323封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优良的散热性能，有助于提升功率密度和整体系统集成度。
　　在制造工艺方面，BAS28/G 采用先进的硅外延技术，确保了均匀的掺杂分布和精确的电气参数控制，进而提升了批次间的一致性与良率。其无铅封装符合现代环保法规要求，支持回流焊工艺，适用于自动化贴片生产线。综合来看，BAS28/G 凭借其高速、低电容、小尺寸和高可靠性的特点，成为众多高频模拟与混合信号电路中不可或缺的基础元件。

应用

BAS28/G 主要应用于高频信号处理领域，常见于电视调谐器模块中作为频道选择开关，用于控制不同频段信号的通断路径。在移动通信设备中，它可用于天线切换电路，实现主副天线之间的动态切换以优化信号接收质量。此外，在FM/AM收音机模块中，该二极管承担调谐回路中的可变电容控制功能，通过改变偏置电压来调节谐振频率。它也广泛用于CATV分配系统、有线网络终端设备以及卫星接收装置中的射频信号路由管理。
　　在数字逻辑接口电路中，BAS28/G 可用作信号钳位二极管，防止输入端出现过高的电压尖峰导致后续IC损坏，起到静电放电（ESD）防护的作用。其快速响应能力还可用于脉冲整形电路，消除信号反射带来的振铃现象，提高数据传输的完整性。此外，在电源管理单元中，它可以作为防倒灌二极管使用，防止多个电源之间的反向电流流动。由于其小型化封装，BAS28/G 特别适合智能手机、平板电脑、物联网模块等便携式电子产品的设计需求，在这些设备中需要最大限度地节省空间并提升高频性能。工业传感器、汽车电子系统以及测试测量仪器中也能见到其身影，体现了其广泛的适用性和高度的通用性。