BAS23W-RTK/P 时间：2025/12/28 15:21:23 阅读：16

BAS23W-RTK/P 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双通道表面贴装硅肖特基二极管阵列。该器件采用 SOT-23 封装，适用于多种高频和低功耗应用。该器件由两个独立的肖特基二极管组成，具有低正向压降和快速开关特性，非常适合用于整流、箝位和信号检测等电路设计。

参数

类型：肖特基二极管阵列
　　封装：SOT-23
　　配置：双通道
　　最大正向电流（If）：300 mA
　　最大正向压降（Vf）：0.45 V @ 200 mA
　　最大反向电压（Vr）：30 V
　　最大反向漏电流（Ir）：500 nA @ 30 V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C

特性

BAS23W-RTK/P 的主要特性之一是其低正向压降，这有助于减少功耗并提高能效。由于采用了肖特基结构，该器件具有非常快的恢复时间，适合用于高频整流应用。此外，BAS23W-RTK/P 的双通道结构允许两个独立的二极管在同一个封装中运行，节省了 PCB 空间并简化了设计。该器件的 SOT-23 小型封装形式非常适合用于空间受限的便携式电子产品中。
　　另一个重要特性是其高可靠性和良好的热稳定性。该器件的工作温度范围宽，适合用于工业级应用。此外，其较低的反向漏电流有助于维持电路的稳定性，尤其在高温环境下仍能保持良好性能。BAS23W-RTK/P 也具有较强的抗静电能力，提升了其在制造和使用过程中的可靠性。

应用

BAS23W-RTK/P 被广泛应用于多种电子设备中，尤其是在需要低功耗、高频响应和空间节省的场合。常见应用包括电源整流、极性保护电路、逻辑电路中的箝位二极管、信号检测电路、电池充电电路以及DC/DC转换器中的辅助整流部分。此外，它也常用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子系统中的信号路径保护和电源管理部分。