类型：硅高速开关二极管
　　最大正向电流：250 mA
　　最大反向电压：100 V
　　正向电压（IF=10mA时）：1.25 V（最大）
　　反向电流（VR=100V时）：100 nA（最大）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+175°C
　　封装形式：SOT-23

BAS21_R2_00001的主要特性之一是其高速开关能力，这使其非常适合用于高频整流和信号切换应用。该二极管的反向恢复时间非常短，确保了在高速工作条件下的稳定性能。此外，该器件具有较高的反向电压耐受能力，最大可达100 V，适用于多种电压级别的电路设计。
　　另一个重要特性是其较低的正向电压降，在10 mA电流条件下最大为1.25 V，这有助于降低功耗并提高整体电路效率。同时，该器件的反向漏电流非常低，在100 V反向电压下最大仅为100 nA，确保在高阻断电压条件下的可靠性。
　　BAS21_R2_00001采用SOT-23小型封装，适合表面贴装工艺（SMT），并具有良好的热性能，可在高温环境下稳定运行。其广泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于工业和汽车电子等严苛环境中的应用。

BAS21_R2_00001广泛应用于多种电子设备和系统中，主要集中在需要高速开关性能和低漏电流的场合。例如，它常用于数字电路中的信号整流和箝位，以确保信号的完整性和稳定性。此外，它也被用于电源管理电路，如DC-DC转换器和负载开关，以实现高效的能量传输和控制。
　　由于其高频响应特性，BAS21_R2_00001也常见于射频（RF）前端模块、通信设备和无线系统中，作为信号路径中的关键开关元件。在汽车电子系统中，该器件可用于车身控制模块、传感器接口和车载网络通信电路，提供可靠的开关性能。
　　另外，BAS21系列二极管还适用于保护电路，如静电放电（ESD）保护、反向电压保护和过压箝位电路，以确保系统在异常情况下的安全运行。

1N4148W-7-F, BAS16, 1N4448