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BAS21W-AU_R1_000A1 发布时间 时间:2025/8/14 16:58:28 查看 阅读:19

BAS21W-AU_R1_000A1 是一款由ROHM(罗姆)公司制造的表面贴装双二极管芯片。该器件设计用于高频应用,具有低电容和快速开关特性,非常适合射频(RF)和高速数字电路。这款双二极管封装在小型WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)中,适用于空间受限的应用。BAS21W系列的额定电压为100V,电流为100mA,具有优异的可靠性。

参数

类型:双二极管
  材料:硅(Si)
  配置:共阴极
  最大重复峰值反向电压:100V
  最大平均正向电流:100mA
  峰值浪涌电流:500mA
  反向漏电流(最大):100nA @ 100V
  正向电压降:1.1V @ 100mA
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:WLCSP
  安装类型:表面贴装

特性

BAS21W-AU_R1_000A1 具有多个关键特性,使其在各种高频和高速应用中表现出色。首先,其低正向电压降(1.1V @ 100mA)可减少功率损耗,提高能效。其次,该器件的反向漏电流非常低,仅为100nA @ 100V,这有助于维持电路的稳定性,特别是在高温和高电压条件下。
  此外,该双二极管采用共阴极配置,适用于需要两个独立二极管共享一个公共端子的应用,例如信号隔离、电压钳位和极性保护。其WLCSP封装不仅体积小巧,便于在高密度PCB上布局,而且具有良好的热稳定性和机械强度。
  该器件的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,适合在极端环境下使用,如汽车电子和工业控制系统。其封装符合RoHS标准,符合环保要求,并支持无铅焊接工艺。
  另外,BAS21W-AU_R1_000A1 的峰值浪涌电流可达500mA,使其能够承受短时间的高电流冲击,适用于可能出现瞬态过载的电路。

应用

该双二极管广泛应用于各种电子设备和系统中,包括通信设备、消费电子产品、汽车电子、工业控制以及便携式设备。具体应用包括射频信号检测、电压钳位保护、电源极性保护、信号隔离、高速开关电路以及静电放电(ESD)保护。
  在汽车电子中,它可用于车载娱乐系统、传感器接口电路和车身控制模块,提供可靠的二极管功能。在工业控制方面,BAS21W-AU_R1_000A1 可用于PLC输入保护、继电器驱动电路和数据通信接口保护。在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中,它可用于电池保护电路、USB接口保护和高速数据线路的信号整流。
  由于其高频性能和低电容特性,该器件也常用于射频开关、混频器和检波器等射频前端电路中。同时,其紧凑的封装设计使其成为空间受限应用的理想选择。

替代型号

BAS21W-AU_R1_000A1的替代型号包括BAS21-02、BAS21-03、BAS21W、BAS21WH6327、BAS21T-13-F

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BAS21W-AU_R1_000A1参数

  • 现有数量6,088现货
  • 价格1 : ¥1.75000剪切带(CT)3,000 : ¥0.30509卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1 V @ 100 mA
  • 速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr)50 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 nA @ 200 V
  • 不同?Vr、F 时电容5pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装SOT-323
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C