BAS21TM-7 时间：2025/12/26 10:57:58 阅读：7

BAS21TM-7是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小信号肖特基二极管，采用SOD-323封装。该器件专为高频开关应用设计，具有快速开关响应和低正向电压降的特点，适合在便携式电子设备和高密度PCB布局中使用。BAS21TM-7的结构基于PN结工艺，具备优良的温度稳定性和可靠性，广泛应用于整流、钳位、保护电路以及信号解调等场景。其小型化封装使其非常适合自动化贴片生产，有助于提高生产效率并降低整体系统成本。该二极管符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。此外，BAS21TM-7在制造过程中采用了可靠的金属电极和钝化层技术，增强了器件的抗湿性和长期稳定性，确保在各种工作条件下都能保持一致的电气性能。

参数

型号：BAS21TM-7
　　封装类型：SOD-323
　　极性：单个二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：70V
　　最大直流反向电压（VR）：70V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：200mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：1.25V @ 10mA
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 60V
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：350°C/W

特性

BAS21TM-7具备出色的高频开关特性，得益于其极短的反向恢复时间（典型值仅为4ns），能够在高频信号处理电路中实现快速响应，有效减少开关损耗，提升系统能效。这一特性使其特别适用于高速开关电源、高频整流电路以及数字逻辑电路中的信号整形与隔离应用。其快速恢复能力还能显著降低电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计，提高整个系统的电磁兼容性。
　　该器件具有较低的正向导通压降，在10mA电流下典型值为1.0V，最大不超过1.25V。低VF意味着更少的能量以热的形式耗散，从而提高了能源利用效率，尤其在电池供电设备中可以延长续航时间。同时，低功耗特性也减少了对散热设计的需求，有利于实现紧凑型产品设计。
　　BAS21TM-7采用SOD-323超小型表面贴装封装，尺寸仅为1.7mm x 1.25mm x 1.1mm，节省宝贵的PCB空间，支持高密度布板，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积敏感的应用场合。该封装具有良好的机械强度和焊接可靠性，适合回流焊和波峰焊工艺，便于大规模自动化生产。
　　器件具有高达70V的反向耐压能力，能够在中等电压环境下稳定工作，适用于多种通用整流和保护场景。其反向漏电流在常温下小于5μA（@60V），保证了在待机或低功耗模式下的电路稳定性。此外，宽达-55°C至+150°C的工作结温范围使其可在极端环境温度下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子等严苛应用场景。
　　总体而言，BAS21TM-7凭借其小型化、高效能、高可靠性的综合优势，成为现代电子系统中理想的通用开关二极管解决方案。

应用

BAS21TM-7广泛应用于各类消费类电子设备中，如手机、笔记本电脑和平板电脑，主要用于电源管理电路中的电压钳位、反接保护和瞬态电压抑制。在这些设备中，它能够有效防止因电源插拔或静电放电引起的电压尖峰对敏感IC造成损坏。
　　在通信接口电路中，例如USB、HDMI或音频线路，BAS21TM-7常用于信号线的ESD保护和电平箝位，确保数据传输的稳定性和接口的安全性。由于其快速响应特性，能在纳秒级时间内将过电压泄放到地，提供有效的浪涌防护。
　　该二极管也常用于开关电源（SMPS）中的续流二极管或阻尼二极管，在DC-DC转换器中协助能量转移并抑制电感反电动势，提升电源效率并减少噪声干扰。其4ns的反向恢复时间使其优于传统整流二极管，更适合高频工作的电源拓扑结构。
　　在数字逻辑电路中，BAS21TM-7可用于电平转换、信号整形和隔离功能，特别是在高速信号路径中作为箝位元件，防止信号超出逻辑阈值范围而导致误触发。此外，在传感器信号调理电路中，也可用作限幅保护，防止输入信号过大而损坏后续放大器或ADC模块。
　　工业控制和汽车电子领域中，该器件可用于继电器驱动电路中的反向电动势吸收，保护晶体管免受高压击穿。其宽温度范围和高可靠性满足了车载环境下的严苛要求，适用于车身控制模块、仪表盘系统和车载娱乐设备中的保护电路设计。