时间：2025/8/14 17:02:49
阅读：5
BAS21S-R1 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效能和低导通电阻的应用场合。这款 MOSFET 采用小型表面贴装封装（SOT-23），非常适合空间受限的设计。BAS21S-R1 提供了良好的热稳定性和可靠性，适用于各种电源管理和开关应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：5Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
BAS21S-R1 MOSFET 具有较低的导通电阻，这使得在导通状态下功率损耗较小，从而提高了整体效率。
该器件的封装形式为 SOT-23，这是一种非常紧凑的表面贴装封装，适用于空间受限的设计。
BAS21S-R1 的最大漏极电流为 100mA，能够满足低至中等功率应用的需求。
其最大漏源电压为 100V，允许其在较高电压的环境中工作，增加了其应用范围。
此外，BAS21S-R1 的栅源电压范围为 ±20V，这提供了较好的栅极控制能力，并且能够承受一定的过电压情况。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内可靠工作，适合在各种环境条件下使用。
BAS21S-R1 主要用于需要高效能和低导通电阻的小型功率 MOSFET 应用中，例如电源开关、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。
由于其紧凑的封装形式，BAS21S-R1 非常适合用于空间受限的便携式设备中，如移动电话、平板电脑和可穿戴设备。
它也可以用于各种电源管理应用，如电池充电和放电控制电路，以及作为负载开关来控制电源的分配。
此外，BAS21S-R1 还可以用于需要高速开关性能的场合，如 PWM（脉宽调制）控制电路和电源调节器。
BAS21S, BAS21S-HR, 2N7002, BSS138
