BAS21PGX 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的通用硅开关二极管,广泛应用于各种电子电路中,用于信号切换、电压钳位、极性保护等应用场景。该器件采用SOT-23封装,适合表面贴装工艺,具备良好的高频响应和可靠性。BAS21PGX 通常用于低电流开关应用,其快速恢复时间和低电容特性使其适用于高频电路。
最大重复峰值反向电压:100V
最大平均整流电流:100mA
最大正向电压(@10mA):1.25V
最大反向漏电流(@100V):100nA
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-65°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
BAS21PGX 具备多项优异特性,适合广泛的应用场景。首先,其最大重复峰值反向电压达到100V,允许在较高电压环境下稳定工作。其次,最大平均整流电流为100mA,足以满足大多数低功耗电路的需求。在正向导通状态下,其正向电压降在10mA电流下不超过1.25V,确保较低的功耗和较高的效率。此外,该器件的反向漏电流在100V下最大仅为100nA,表现出良好的绝缘性能,有助于减少电路在关闭状态下的能量损耗。
BAS21PGX 采用SOT-23小型封装,便于在紧凑的PCB布局中使用,并支持表面贴装技术,提高了生产效率和可靠性。该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于工业级和汽车电子等严苛环境。其快速恢复时间特性使其适用于高频开关应用,有效降低开关损耗,提高电路响应速度。此外,BAS21PGX 的低电容特性也有助于提升其在高频信号路径中的性能,适用于信号整流、保护电路以及高速开关电路中的应用。
BAS21PGX 主要用于需要高频开关、极性保护或电压钳位的电路中。典型应用包括电源管理电路中的极性保护、数字电路中的信号整流、继电器和电感负载的反向电压抑制、以及通信设备中的信号路径保护。此外,该器件也常用于电池供电设备、便携式电子产品、消费类电子设备和工业控制系统的保护电路中,确保电路在异常电压或反向电流情况下不受损坏。其高频特性也使其适用于射频(RF)电路中的信号处理和检波电路。
1N4148WS、BAS16、BAS316、BAV99、BAV103