时间：2025/8/14 18:18:10
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BAS21C-AU_R1_000A1 是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）制造的双通道N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于需要高开关速度和低导通电阻的应用中，例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达驱动器等。这款MOSFET封装为SOT-23，体积小巧，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大100mA
漏极-源极电压（VDS）：最大30V
栅极-源极电压（VGS）：最大±12V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.0Ω（在VGS=4.5V时）
功率耗散：最大200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-23
BAS21C-AU_R1_000A1 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率；双通道设计允许在同一封装内实现两个独立的MOSFET功能，节省PCB空间；其SOT-23封装形式使其适用于表面贴装技术（SMT），适合自动化生产和高密度电路设计；此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在广泛的温度范围内稳定工作。
该MOSFET还具有较高的开关速度，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。由于其低栅极电荷（Qg），BAS21C-AU_R1_000A1 在开关过程中所需的驱动功率较低，进一步提高了系统效率。此外，该器件的栅极氧化层具有较高的耐压能力，确保在恶劣环境下的稳定运行。
BAS21C-AU_R1_000A1 广泛应用于多种电子设备中，包括便携式电子产品、电池供电设备、电源管理系统、DC-DC转换器、LED驱动器、负载开关控制以及各种小型电机控制器。由于其双通道结构和小型封装，它特别适合用于需要多个MOSFET但空间受限的设计。此外，该器件也常用于通信设备、工业控制系统和汽车电子中的低功率开关电路。
Si2302DS, 2N7002, FDV301N
