BAS21-HE3-08是一种基于硅材料的高速开关二极管,广泛应用于高频电路和信号处理领域。该型号属于齐纳二极管系列,具有低电容、低反向电流和高开关速度的特点。其设计旨在满足现代电子设备对快速响应和稳定性能的需求,特别适用于保护电路、电压箝位以及信号调节等场景。
该器件采用小型化的封装形式,有助于节省印刷电路板的空间,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适合在各种复杂环境下工作。
最大反向电压:50V
正向电压:0.7V
最大正向电流:200mA
反向恢复时间:4ns
功耗:200mW
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:SOD-123
BAS21-HE3-08具有以下主要特性:
1. 高速开关能力,能够快速切换状态,适用于高频电路。
2. 极低的反向恢复时间,确保了最小化的信号失真和能量损耗。
3. 稳定的电气性能,在宽温范围内保持一致的输出。
4. 小型化封装,便于集成到紧凑型设计中。
5. 良好的热管理能力,能够在高温环境下长期运行。
6. 低漏电流,保证了较高的效率和更低的静态功耗。
这些特点使得该器件成为高频整流、过压保护及数据传输线路中的理想选择。
BAS21-HE3-08的应用领域非常广泛,主要包括:
1. 过压保护电路,用于防止瞬态电压对敏感元件的损害。
2. 高频信号整流,例如在通信设备和无线模块中。
3. 电源管理模块中的箝位电路。
4. 数字信号调节,特别是在高速接口(如USB、以太网)中起到保护作用。
5. 汽车电子系统中的瞬态抑制功能。
6. 工业控制设备中的隔离与保护电路。
BAS21-HE3-08凭借其优异的性能表现,成为众多行业标准解决方案中的关键组件。
BAS21W, BAS71, 1N4148