BAS21-7 时间：2025/12/26 11:38:18 阅读：18

BAS21-7是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅高速开关二极管，专为高频信号切换和保护电路设计。该器件采用SOD-323（SC-90）小型封装，具有低电容、快速开关速度和高可靠性等特点，广泛应用于便携式消费电子、通信设备和数字逻辑电路中。BAS21-7的结构基于PN结二极管原理，通过优化掺杂工艺和芯片设计，实现了极短的反向恢复时间（trr），使其在高频环境下仍能保持优异的开关性能。其最大重复峰值反向电压（VRRM）为70V，最大正向整流电流（IF）为200mA，适用于低功率信号处理场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和抗ESD能力，适合自动化贴片生产流程。由于其紧凑的封装形式和高性能指标，BAS21-7常被用于智能手机、平板电脑、无线模块、LCD驱动电路以及各种需要高速响应的模拟与数字接口中。

参数

型号：BAS21-7
　　封装类型：SOD-323 (SC-90)
　　极性：单路开关二极管
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：70V
　　最大直流阻断电压 VR：70V
　　最大RMS电压 VRMS：49V
　　最大正向平均整流电流 IF(AV)：200mA
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：500mA
　　最大正向电压 VF @ 10mA：1.0V
　　最大反向漏电流 IR @ 60V：5μA
　　反向恢复时间 trr：4ns
　　结电容 CJ @ 4V：1.5pF
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C

特性

BAS21-7的核心特性在于其出色的高频开关能力和低寄生参数表现，这使其在高速信号路径中能够实现最小的信号失真和延迟。首先，其反向恢复时间trr典型值仅为4ns，在同类小信号开关二极管中处于领先水平，这意味着在高频开关应用中可以显著减少开关损耗并提高系统效率。这一特性尤其适用于射频前端模块中的信号路由、瞬态电压抑制以及逻辑电平隔离等场景。
　　其次，该器件的结电容CJ在4V偏压下仅为1.5pF，极低的电容值确保了在高频（如UHF和微波频段）信号传输过程中不会引入明显的负载效应或衰减，从而保证了信号完整性。这一点对于现代无线通信系统中的天线切换、RF开关和ESD保护电路至关重要。
　　再者，BAS21-7采用SOD-323超小型表面贴装封装，尺寸仅为1.7mm x 1.25mm x 1.1mm，非常适合高密度PCB布局和空间受限的应用场合。该封装具有良好的热传导性能和机械稳定性，支持回流焊和波峰焊工艺，适应大规模自动化生产需求。
　　此外，该二极管具备较高的反向耐压能力（70V），可在多种电源电压等级下安全运行，同时其正向导通压降较低（典型值0.83V @ 10mA），有助于降低功耗并提升能效。器件还具备较强的静电放电（ESD）防护能力，人体模型（HBM）耐受电压可达±2kV，增强了系统在实际使用中的鲁棒性。
　　最后，BAS21-7的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，满足工业级和汽车级应用的严苛环境要求，可用于户外通信设备、车载信息娱乐系统和工业控制单元等对可靠性和耐久性有高要求的领域。综合来看，BAS21-7是一款兼具高性能、小型化和高可靠性的高速开关二极管，是现代电子系统中不可或缺的基础元件之一。

应用

BAS21-7广泛应用于各类需要高速开关响应和低电容特性的电子电路中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的信号切换与保护，例如智能手机和平板电脑内的天线调谐、音频线路选择及USB接口ESD防护。在无线通信模块中，它可用于RF信号路径的开关控制，因其低结电容和快速恢复特性可有效减少信号衰减和串扰，提升射频性能。此外，在数字逻辑电路中，BAS21-7常被用作电平移位器、钳位二极管或噪声抑制元件，确保信号边沿清晰且系统稳定性高。工业控制设备中也常采用该器件进行传感器信号调理、I/O端口保护以及瞬态电压抑制。在LCD显示屏驱动电路中，BAS21-7可用于防止反向电流和电压尖峰对驱动IC造成损害。同时，由于其具备良好的ESD耐受能力，该二极管也广泛用于各类接口电路（如HDMI、SD卡槽、耳机插孔）的静电保护设计。在汽车电子系统中，尽管并非AEC-Q101认证器件，但在非关键性信号路径中仍可作为通用高速开关使用，如车内娱乐系统的信号切换。总之，凡涉及低功率、高频、高密度布局的电子系统，BAS21-7都是一个理想的选择。