时间：2025/9/13 22:51:26
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BAS21/6 是一款由恩智浦半导体（NXP）推出的双极型晶体管阵列芯片，专为需要高速开关性能的应用设计。该芯片集成了两个NPN晶体管，具有低饱和电压、高电流增益和优良的热稳定性，适用于广泛的工作温度范围。其封装形式为SOT143，便于在各种电路设计中使用。
类型：NPN双晶体管阵列
最大集电极电流：100mA（每个晶体管）
最大集电极-发射极电压：30V
最大基极-发射极电压：5V
最大功耗：300mW
电流增益（hFE）：110至800（根据工作电流不同）
频率响应：100MHz（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
BAS21/6 的主要特性包括集成双NPN晶体管设计，显著减少了PCB布局的复杂性和空间占用。该芯片的高电流增益使其能够有效放大信号，同时低饱和电压确保了高效的能量传输，减少了功耗和热量产生。此外，BAS21/6 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度环境下正常工作，适用于多种恶劣工况。其SOT143封装形式不仅节省空间，还提供了良好的机械稳定性和散热性能。由于其高速开关特性，BAS21/6 适用于数字逻辑电路、缓冲器、驱动器和信号调节等应用场景。
BAS21/6 常用于需要高速开关和信号放大的电路中，如数字逻辑电路、缓冲器和驱动器设计。它也适用于工业自动化设备、消费电子产品、通信设备和汽车电子系统中的信号处理和控制应用。由于其紧凑的封装和高性能，BAS21/6 在便携式设备和空间受限的设计中特别受欢迎。
BAS21/6 的替代型号包括NXP的BAS21、BAS21H以及类似的双晶体管阵列芯片如BCX56或BCX55系列。
