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BAS16T-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 8:51:48 查看 阅读:17

BAS16T-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅高速开关二极管,采用SOD-323(SC-88)小型封装。该器件专为高频开关应用设计,具有快速的反向恢复时间,适用于信号切换、箝位、保护和整流等电路场景。其结构基于PN结二极管技术,具备良好的热稳定性和可靠性,广泛应用于消费类电子、通信设备、便携式电子产品以及工业控制领域。BAS16T-7-F的“-7-F”后缀通常表示其卷带包装形式及符合RoHS环保要求的无铅/无卤素制造工艺,适合自动化贴片生产线使用。该器件在低电流条件下表现出优异的开关性能,正向导通电压较低,反向漏电流小,能够在较宽温度范围内稳定工作,是现代高密度PCB设计中常用的通用型开关二极管之一。
  BAS16T-7-F的工作频率可达数百兆赫兹,能够有效处理高速数字信号或射频信号的整形与保护任务。其小型化封装使其非常适合空间受限的应用场合,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。此外,该器件还具备较强的抗静电能力(ESD保护性能),有助于提升系统整体的鲁棒性。由于其标准化参数和广泛供货渠道,BAS16T-7-F已成为许多设计师在替代老旧通孔二极管(如1N4148)时的首选表面贴装型号之一。

参数

类型:开关二极管
  材料:硅
  封装:SOD-323(SC-88)
  极性:单个二极管
  最大峰值反向电压(VRRM):75V
  最大直流阻断电压(VR):75V
  最大均方根电压(VRMS):53V
  最大正向平均电流(IF(AV)):200mA
  峰值脉冲电流(IFSM):500mA
  最大正向电压(VF):1.25V @ 10mA
  最大反向电流(IR):5μA @ 75V, 25°C
  反向恢复时间(trr):4ns @ IF = 10mA, IR = 1mA, RL = 100Ω
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C

特性

BAS16T-7-F的核心特性之一是其极短的反向恢复时间(trr),典型值仅为4ns,这使得它在高频开关环境中表现极为出色。这种快速响应能力源于其优化的PN结结构和先进的制造工艺,能够在信号极性迅速变化时及时关断,避免出现导通延迟或电荷积累现象,从而显著减少开关损耗并提高系统效率。该特性特别适用于高速数字逻辑电路中的信号整形、过压保护以及传输线终端匹配等应用场景。例如,在I2C、SPI等串行通信总线上,BAS16T-7-F可用于防止总线电压超出安全范围,同时不会因自身响应速度慢而影响数据完整性。此外,其低电容设计(典型结电容约2pF)进一步增强了高频性能,减少了对信号边沿的衰减和失真。
  另一个重要特性是其紧凑的SOD-323封装形式,尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm左右,非常适合高密度印刷电路板布局。相比传统的SOD-123或通孔封装(如DO-35),SOD-323不仅节省空间,还能降低寄生电感和电阻,有利于提升高频信号完整性。该封装具有良好的散热性能,结合其最大200mA的连续正向电流承载能力,可在轻负载整流、电源轨箝位和电池反接保护等应用中可靠运行。此外,BAS16T-7-F支持回流焊工艺,符合J-STD-020标准,适用于现代SMT生产线,确保大批量制造的一致性和良率。
  该器件还具备出色的环境适应性与可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C,可在极端温度条件下保持稳定性能,适用于汽车电子、工业控制系统等严苛环境。产品符合AEC-Q101车规级认证的部分应力测试要求(具体需参考厂商最新规格书),提升了在车载传感器、ECU模块中的适用性。同时,BAS16T-7-F满足RoHS指令和无卤素要求,体现了绿色环保设计理念。其高反向击穿电压(75V)和低漏电流(5μA以下)也使其适合用于多级电压检测电路或作为瞬态抑制辅助元件。综合来看,BAS16T-7-F凭借其高速、小型、可靠三大优势,成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

应用

BAS16T-7-F广泛应用于各类需要高速开关功能的电子系统中。在消费类电子产品中,常用于USB接口、HDMI端口或其他高速数据线路的静电放电(ESD)保护与信号箝位,防止外部浪涌电压损坏主控芯片。其低结电容和快速响应特性确保了对高速差分信号的影响最小化,同时能有效吸收瞬态能量。在便携式设备如智能手机和平板电脑中,该器件还被用于电池管理电路中的电压检测路径,实现充放电状态监控与过压保护。
  在通信设备领域,BAS16T-7-F可用于RF前端模块中的信号路由切换、天线调谐电路或功率放大器偏置网络,因其高频性能优异且体积小巧,便于集成到紧凑的射频板上。此外,在数字逻辑电路中,它常作为电平移位器或开漏输出的上拉二极管使用,帮助加快信号上升沿速度,改善时序裕度。
  工业控制与汽车电子中,BAS16T-7-F可用于PLC输入滤波、传感器信号调理电路中的箝位保护,防止感应电压尖峰导致MCU引脚损坏。在车载信息娱乐系统或ADAS模块中,也可用于摄像头或雷达信号链的防护电路。此外,该器件还可作为低成本整流桥的一部分,用于微功率电源转换或能量采集系统。总之,凡是涉及小信号开关、电压保护或高频整流的场景,BAS16T-7-F都是一种经济高效且性能可靠的解决方案。

替代型号

BAV99W-7-F
  1N4148WS
  MMBD1401LT1G
  RB520S-40

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BAS16T-7-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)85V
  • 电流 - 平均整流 (Io)155mA(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 150mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)4ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电2µA @ 75V
  • 电容@ Vr, F1.5pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-523
  • 供应商设备封装SOT-523
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称BAS16T-7-FDIDKR