时间：2025/12/26 9:04:06
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BAS116LPH4-7B是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小信号肖特基二极管，专为高频开关和信号整流应用设计。该器件采用SOD-323（SC-70）超小型封装，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备。BAS116LPH4-7B的结构基于铂势垒技术，确保了稳定的电气性能和良好的温度稳定性。这款二极管广泛用于智能手机、平板电脑、无线模块、电源管理电路以及各种消费类电子产品中，作为保护、箝位或信号切换元件使用。其无铅环保设计符合RoHS指令要求，并支持回流焊工艺，适合自动化贴片生产流程。由于其优异的高频响应能力，BAS116LPH4-7B在射频检波、解调电路中也表现出色。此外，该器件具备较高的反向击穿电压与较低的漏电流，在恶劣工作条件下仍能保持可靠运行。整体而言，BAS116LPH4-7B是一款高性能、高可靠性的小信号肖特基二极管，适用于现代电子系统中的多种模拟与数字接口场景。
型号：BAS116LPH4-7B
类型：肖特基二极管
封装/包装：SOD-323（SC-70）
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
正向电流（IF）：200mA
峰值重复反向电压（VRRM）：70V
最大正向电压（VF）：@ IF = 10mA: 0.58V
最大反向电流（IR）：@ VR = 70V, TA = 25°C: 500nA
反向恢复时间（trr）：典型值 1ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
热阻抗（RθJA）：350°C/W
电容（@ Vr=0V, f=1MHz）：约9pF
BAS116LPH4-7B的核心特性之一是其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成整流效应，相较于传统的PN结二极管，显著降低了正向导通压降（VF），从而减少功耗并提高系统效率。该器件在10mA正向电流下的典型正向压降仅为0.58V，使其非常适合电池供电设备中对能耗敏感的应用。同时，由于没有少数载流子存储效应，肖特基二极管具备极快的开关速度，BAS116LPH4-7B的反向恢复时间（trr）典型值低至1纳秒，能够在高频信号处理中实现快速响应，有效避免开关瞬态引起的失真或振荡。
另一个关键优势是其微型SOD-323封装，尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 0.95mm，极大节省PCB布局空间，特别适用于高密度组装的移动终端产品。尽管体积小巧，但该封装仍具备良好的散热性能和机械强度，支持全自动贴片焊接工艺，提升了生产良率与一致性。此外，该器件拥有高达70V的重复反向电压额定值，在同类小信号二极管中属于较高水平，增强了在电压波动环境下的适应性与安全性。其反向漏电流在室温下不超过500nA，保证了在关断状态下的低静态功耗表现。
BAS116LPH4-7B还具备出色的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适用于宽温域应用场景。其电容值在零偏压、1MHz条件下约为9pF，适合用于高频信号路径中的耦合与去耦操作。整体材料体系符合无铅焊接标准，并通过AEC-Q101等可靠性认证（视具体批次而定），确保长期使用的稳定性和耐用性。这些综合特性使BAS116LPH4-7B成为现代电子设计中理想的高频、低功耗整流与保护解决方案。
BAS116LPH4-7B因其高频响应快、正向压降低和封装小巧等特点，被广泛应用于各类便携式电子设备和通信系统中。在智能手机和平板电脑中，常用于USB接口的静电保护与信号箝位电路，防止瞬态过压损坏主控芯片；同时也用于电池充放电路径中的防反接保护，提升系统安全性。在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）中，该二极管可用于射频前端的信号检测与检波电路，利用其快速响应特性准确还原高频信号包络信息。
在电源管理单元中，BAS116LPH4-7B常作为辅助整流元件，用于DC-DC转换器的续流路径或低压差线性稳压器（LDO）的输出保护，以降低传导损耗并提升整体效率。此外，在传感器信号调理电路中，该器件可用于输入端的限幅与钳位，防止异常信号导致后级放大器饱和或损坏。工业控制与物联网节点设备中也普遍采用此类二极管进行I/O口保护和总线隔离，尤其在RS-232、I2C、SPI等数字通信接口中起到浪涌抑制作用。
由于其低电容特性，BAS116LPH4-7B还可用于高速数据线路中的耦合电容旁路或瞬态抑制，避免高频干扰传播。在音频设备中，可用于消除交叉失真或构建精密整流电路。总体而言，该器件适用于任何需要高效、快速、小型化二极管功能的电子系统，特别是在空间受限、功耗敏感和高频工作的设计中展现出显著优势。
BAS70-04W-7
BAS70AW-7
MBSS110LT1G
SMS3916-7-F
